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1. (WO2009138906) MEMS DEVICES AND FABRICATION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/138906    International Application No.:    PCT/IB2009/051859
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 06.05.2009
IPC:
B81B 3/00 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
VAN SCHAIJK, Robertus, T., F. [NL/NL]; (GB) (For US Only)
Inventors: VAN SCHAIJK, Robertus, T., F.; (GB)
Agent: WILLIAMSON, Paul, L.; (GB)
Priority Data:
08103929.9 12.05.2008 EP
Title (EN) MEMS DEVICES AND FABRICATION THEREOF
(FR) DISPOSITIFS DE SYSTÈME MICROÉLECTROMÉCANIQUE ET LEUR FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A MEMS device and method, comprising: a substrate; a beam; and a cavity located therebetween; the beam comprising a first beam layer and a second beam layer, the first beam layer being directly adjacent to the cavity, the second beam layer being directly adjacent to the first beam layer; the first beam layer comprising a metal or a metal alloy containing silicon; and the second beam layer comprising a metal or a metal alloy substantially not containing silicon. Preferably the second beam layer is thicker than the first beam layer e.g. at least five times thicker, and the first beam layer comprises a metal or alloy containing between 1 % and 2% of silicon. The second beam layer provides desired mechanical and/ or optical properties whilst the first beam layer prevents spiking.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de système microélectromécanique et sur un procédé associé, comprenant : un substrat ; un profilé ; et une cavité située entre ceux-ci ; le profilé comprenant une première couche de profilé et une seconde couche de profilé, la première couche de profilé étant directement adjacente à la cavité, la seconde couche de profilé étant directement adjacente à la première couche de profilé ; la première couche de profilé comprenant un métal ou un alliage métallique contenant du silicium ; et la seconde couche de profilé comprenant un métal ou un alliage métallique ne contenant sensiblement pas de silicium. De préférence, la seconde couche de profilé est plus épaisse que la première couche de profilé, par exemple au moins cinq fois plus épaisse, et la première couche de profilé comprend un métal ou un alliage contenant entre 1 % et 2 % de silicium. La seconde couche de profilé apporte des propriétés mécaniques et/ou optiques désirées, tandis que la première couche de profilé empêche le blocage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)