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1. (WO2009138616) MAGNETIC DEVICE FOR PERFORMING A "LOGIC FUNCTION"
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/138616    International Application No.:    PCT/FR2009/050691
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 15.04.2009
IPC:
H03K 19/18 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Batiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue, Michel-Ange F-75794 Paris Cedex (FR) (For All Designated States Except US).
JAVERLIAC, Virgile [FR/FR]; (FR) (For US Only).
PRENAT, Guillaume [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: JAVERLIAC, Virgile; (FR).
PRENAT, Guillaume; (FR)
Agent: Lebkiri, Alexandre; 10 rue de la Pépinière Cabinet Camus Lebkiri F-75008 Paris (FR)
Priority Data:
0852573 16.04.2008 FR
Title (EN) MAGNETIC DEVICE FOR PERFORMING A "LOGIC FUNCTION"
(FR) DISPOSITIF MAGNÉTIQUE POUR LA RÉALISATION D'UNE « FONCTION LOGIQUE »
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a device (9) for performing a "logic function", comprising a magnetic structure including: at least a first magnetoresistive stack (MTJ3) that includes a first ferromagnetic layer and a second ferromagnetic layer that are separated by a non-ferromagnetic interlayer; and at least a first current line (32) in the vicinity of the first magnetoresistive stack (MTJ3), which line generates a magnetic field, when an electrical current passes therethrough, in the vicinity of the first stack (MTJ3). The aforementioned first line (32) includes at least two current input points so that two currents are added together in the first line (32), the sum of said two currents being determined by the logic function.
(FR)La présente invention concerne un dispositif (9) pour la réalisation d'une « fonction logique » comprenant une structure magnétique comportant au moins un premier empilement magnétorésistif (MTJ3) incluant une première couche ferromagnétique et une deuxième couche ferromagnétique séparées par une couche intercalaire non ferromagnétique et au moins une première ligne (32) de courant située au voi¬ sinage dudit premier empilement magnétorésistif (MTJ3) et engendrant au voisi¬ nage dudit premier empilement (MTJ3) un champ magnétique lorsqu'elle est tra¬ versée par un courant électrique. Ladite première ligne (32) comporte au moins deux points d'entrées de courant de sorte que deux courants s'additionnent dans ladite première ligne (32), la somme desdits deux courants étant déterminée par ladite fonction logique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)