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1. (WO2009138549) APPARATUS, METHOD AND SYSTEM FOR RECONFIGURABLE CIRCUITRY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/138549    International Application No.:    PCT/FI2009/050176
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 23.04.2009
IPC:
G11C 16/10 (2006.01), G11C 11/14 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01)
Applicants: NOKIA CORPORATION [FI/FI]; Keilalahdentie 4 FI-02150 Espoo (FI) (For All Designated States Except US).
Kärkkäinen, Asta [FI/FI]; (FI) (For US Only).
Kärkkäinen, Leo [FI/FI]; (FI) (For US Only)
Inventors: Kärkkäinen, Asta; (FI).
Kärkkäinen, Leo; (FI)
Agent: NOKIA CORPORATION; IPR Department Virpi Tognetty Keilalahdentie 4 FI-02150 Espoo (FI)
Priority Data:
12/150,308 25.04.2008 US
Title (EN) APPARATUS, METHOD AND SYSTEM FOR RECONFIGURABLE CIRCUITRY
(FR) APPAREIL, PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR CIRCUITS RECONFIGURABLES
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to reconfigurable circuitry, and more particularly to the reconfiguration of the characteristics of materials used in the formation of electronic circuitry as the result of applied external influences. Exemplary embodiments of the present invention provide an apparatuses, methods, electronic devices and computer program products that include a nanoscale material layer, and a programmable element in close proximity to at least a first section of the nanoscale material layer. The programmable element is configured to produce interference with an electron wave in at least the first section of the nanoscale material layer.
(FR)La présente invention porte sur des circuits reconfigurables, et plus particulièrement sur la reconfiguration des caractéristiques de matériaux utilisés dans la formation de circuits électroniques résultant d'influences externes appliquées. Des modes de réalisation à titre d'exemple de la présente invention portent sur des appareils, des procédés, des dispositifs électroniques et des produits programme d'ordinateur qui comprennent une couche de matériau à l'échelle nanométrique et un élément programmable en proximité étroite avec au moins une première partie de la couche de matériau à l'échelle nanométrique. L'élément programmable est configuré pour produire une interférence avec une onde électronique dans au moins la première partie de la couche de matériau à l'échelle nanométrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)