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1. (WO2009137996) MEMORY DEVICE CASCADE METHOD, MEMORY SYSTEM AND MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/137996    International Application No.:    PCT/CN2009/070511
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 24.02.2009
IPC:
G06F 3/06 (2006.01), G06F 13/38 (2006.01)
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129 (CN) (For All Designated States Except US).
ZHANG, Yinggeng [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: ZHANG, Yinggeng; (CN)
Agent: UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place, No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District, Beijing 100004 (CN)
Priority Data:
200810098126.1 13.05.2008 CN
Title (EN) MEMORY DEVICE CASCADE METHOD, MEMORY SYSTEM AND MEMORY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE CASCADE DE DISPOSITIFS À MÉMOIRE, SYSTÈME DE MÉMOIRE ET DISPOSITIF À MÉMOIRE
(ZH) 存储设备级联方法、存储系统及存储设备
Abstract: front page image
(EN)A memory device cascade method, memory system and memory device are provided. At least more than two memory devices are included, and each memory device includes at least two interconnection ports. The method includes the following steps: the first memory device connects one of the interconnection ports of the device with the PCIE bus cable led out from a control device through Peripheral Component Interconnect Express (PCIE) bus switch card; the first memory device transforms the PCIE signal inputted through the PCIE bus cable into at least more than two couples of the same transformation signals, provides one couple of the transformation signals to the first memory device for use, and outputs other transformation signals to other interconnection ports of the device; the first memory device connects other interconnection ports of the device with other memory devices outsides the device through the PCIE bus cable.
(FR)La présente invention concerne un procédé de cascade de dispositifs à mémoire, un système de mémoire et un dispositif à mémoire. Au moins plus de deux dispositifs à mémoire sont inclus et chaque dispositif à mémoire comprend au moins deux ports d’interconnexion. Le procédé comprend les étapes suivantes : le premier dispositif à mémoire connecte l’un des ports d’interconnexion du dispositif avec le câble de bus PCIE provenant d’un dispositif de commande par l’intermédiaire d’une carte de commutation à bus d’interconnexion de composants périphériques (PCIE); le premier dispositif à mémoire transforme le signal PCIE entré par l’intermédiaire du câble de bus PCIE en au moins plus de deux paires des mêmes signaux de transformation, envoie une paire des signaux de transformation vers le premier dispositif à mémoire pour utilisation et émet les autres signaux de transformation vers les autres ports d’interconnexion du dispositif; le premier dispositif à mémoire connecte d’autres ports d’interconnexion du dispositif avec d’autres dispositifs à mémoire en dehors du dispositif au moyen du câble de bus PCIE.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)