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1. (WO2009137610) METHOD OF FORMING AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING REMOVING A DIFFERENTIAL ETCH LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/137610    International Application No.:    PCT/US2009/043025
Publication Date: 12.11.2009 International Filing Date: 06.05.2009
IPC:
H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: ASTROWATT, INC. [US/US]; 16900 Willow Oak Lane Round Rock, TX 78681 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: MATHEW, Leo; (US).
JAWARANI, Dharmesh; (US)
Agent: MEYER, George, R.; (US)
Priority Data:
61/050,709 06.05.2008 US
12/435,947 05.05.2009 US
Title (EN) METHOD OF FORMING AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING REMOVING A DIFFERENTIAL ETCH LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT L'ÉLIMINATION D'UNE COUCHE DE GRAVURE DIFFÉRENTIELLE
Abstract: front page image
(EN)A method of forming an electronic device can include forming a metallic layer over a side of a workpiece including a substrate, a differential etch layer, and a semiconductor layer. The differential etch layer may lie between the substrate and the semiconductor layer, and the semiconductor layer may lie along the side of the workpiece. The process can further include selectively removing at least a majority of the differential etch layer from between the substrate and the semiconductor layer, and separating the semiconductor layer and the metallic layer from the substrate. The selective removal can be performed using a wet etching, dry etching, or electrochemical technique. In a particular embodiment, the same plating bath may be used for plating the metallic layer and selectively removing the differential etch layer.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif électronique qui peut comprendre la formation d'une couche métallique par-dessus un côté d'une pièce à travailler comprenant un substrat, une couche de gravure différentielle et une couche de semi-conducteur. La couche de gravure différentielle peut être disposée entre le substrat et la couche de semi-conducteur et la couche de semi-conducteur peut être disposée le long du côté de la pièce à travailler. Le procédé peut en outre comprendre l'élimination sélective d'au moins la majorité de la couche de gravure différentielle entre le substrat et la couche de semi-conducteur et la séparation de la couche de semi-conducteur et de la couche métallique du substrat. L'élimination sélective peut être effectuée à l'aide d'une gravure en voie humide, d'une gravure sèche ou d'une technique électrochimique. Dans un mode de réalisation particulier, le même bain de placage peut être utilisé pour le placage de la couche métallique et l'élimination sélective de la couche de gravure différentielle.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)