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1. (WO2009137578) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH NON-PUNCH-THROUGH SEMICONDUCTOR CHANNELS HAVING ENHANCED CONDUCTION AND METHODS OF MAKING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/137578    International Application No.:    PCT/US2009/042983
Publication Date: 12.11.2009 International Filing Date: 06.05.2009
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: SEMISOUTH LABORATORIES, INC. [US/US]; 201 Research Boulevard Starkville, MS 39759 (US) (For All Designated States Except US).
SANKIN, Igor [UA/US]; (US) (For US Only).
SHERIDAN, David, C. [US/US]; (US) (For US Only).
MERRETT, Joseph, Neil [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SANKIN, Igor; (US).
SHERIDAN, David, C.; (US).
MERRETT, Joseph, Neil; (US)
Agent: RAIMUND, Christopher, W.; (US)
Priority Data:
12/117,121 08.05.2008 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH NON-PUNCH-THROUGH SEMICONDUCTOR CHANNELS HAVING ENHANCED CONDUCTION AND METHODS OF MAKING
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS À CANAUX SEMI-CONDUCTEURS À BASE HOMOGÈNE (NPT) PRÉSENTANT UNE CONDUCTION AMÉLIORÉE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Semiconductor devices are described wherein current flow in the device is confined between the rectifying junctions (e.g., p-n junctions or metal-semiconductor junctions). The device provides non-punch-through behavior and enhanced current conduction capability. The devices can be power semiconductor devices as such as Junction Field-Effect Transistors (VJFETs), Static Induction Transistors (SITs), Junction Field Effect Thyristors, or JFET current limiters. The devices can be made in wide bandgap semiconductors such as silicon carbide (SiC). According to some embodiments, the device can be a normally-off SiC vertical junction field effect transistor. Methods of making the devices and circuits comprising the devices are also described.
(FR)La présente invention concerne des dispositifs semi-conducteurs dans lesquels une circulation de courant dans le dispositif est confinée entre les jonctions de redressement (par exemple, des jonctions p-n ou des jonctions métal-semi-conducteur). Le dispositif présente un comportement à base homogène (ran-punch-Enough (NPT)) et une capacité de conduction de courant améliorée. Les dispositifs peuvent être des dispositifs à semi-conducteurs de puissance tels que des transistors à effet de champ à jonctions (VJFET), des transistors à induction statique (SIT), des thyristors à effet de champ à jonctions, ou des limiteurs de courant JFET. Les dispositifs peuvent être réalisés avec des semi-conducteurs à bande interdite large, tels que le carbure de silicium (SiC). Selon certains modes de réalisation, le dispositif peut être un transistor à effet de champ à jonctions verticales SiC normalement bloqué. Des procédés de fabrication des dispositifs et des circuits comprenant les dispositifs sont également décrits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)