WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009137222) MEMORY CELL THAT INCLUDES A CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/137222    International Application No.:    PCT/US2009/040222
Publication Date: 12.11.2009 International Filing Date: 10.04.2009
IPC:
H01L 51/00 (2006.01)
Applicants: SANDISK 3D, LLC [US/US]; 601 McCarthy Blvd. Milpitas, CA 95035 (US) (For All Designated States Except US).
SCHRICKER, April, D. [US/US]; (US) (For US Only).
CLARK, Mark, H. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SCHRICKER, April, D.; (US).
CLARK, Mark, H.; (US)
Agent: DUGAN, Brian, M.; (US)
Priority Data:
61/044,328 11.04.2008 US
Title (EN) MEMORY CELL THAT INCLUDES A CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE QUI COMPREND UN ÉLÉMENT DE COMMUTATION DE RÉSISTANCE RÉVERSIBLE EN NANOTUBES DE CARBONE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Methods of forming planar carbon nanotube ("CNT") resistivity-switching materials for use in memory cells are provided, that include depositing first dielectric material (58b), patterning the first dielectric material, etching the first dielectric material to form a feature within the first dielectric material, depositing CNT resistivity-switching material over the first dielectric material to fill the feature at least partially with the CNT resistivity-switching material, depositing second dielectric material (112) over the CNT resistivity-switching material, and planarizing the second dielectric material and the CNT resistivity-switching material so as to expose at least a portion of the CNT resistivity-switching material within the feature. Other aspects are also provided.
(FR)L'invention porte sur des procédés de fabrication de matières de commutation de résistivité en nanotubes de carbone (« CNT ») planes destinées à être utilisées dans des cellules de mémoire, les procédés comprenant le dépôt d'une première matière diélectrique, la formation d'un motif de la première matière diélectrique, la gravure de la première matière diélectrique pour former une entité caractéristique à l'intérieur de la première matière diélectrique, le dépôt de matière de commutation de résistivité en CNT par-dessus la première matière diélectrique pour remplir l'entité caractéristique au moins partiellement avec la matière de commutation de résistivité en CNT, le dépôt d'une seconde matière diélectrique par-dessus la matière de commutation de résistivité en CNT et la planarisation de la seconde matière diélectrique et de la matière de commutation de résistivité en CNT de façon à exposer au moins une partie de la matière de commutation de résistivité en CNT à l'intérieur de l'entité caractéristique. L'invention porte également sur d'autres aspects.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)