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1. (WO2009137199) BORON NITRIDE AND BORON-NITRIDE DERIVED MATERIALS DEPOSITION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/137199    International Application No.:    PCT/US2009/039356
Publication Date: 12.11.2009 International Filing Date: 02.04.2009
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
BALSEANU, Mihaela [RO/US]; (US) (For US Only).
BENCHER, Christopher, Dennis [US/US]; (US) (For US Only).
CHEN, Yongmei [CN/US]; (US) (For US Only).
ROFLOX, Isabelita [PH/US]; (US) (For US Only).
XIA, Li-qun [US/US]; (US) (For US Only).
WITTY, Derek, R. [US/US]; (US) (For US Only).
MIAO, Li Yan [US/US]; (US) (For US Only).
NGUYEN, Victor [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BALSEANU, Mihaela; (US).
BENCHER, Christopher, Dennis; (US).
CHEN, Yongmei; (US).
ROFLOX, Isabelita; (US).
XIA, Li-qun; (US).
WITTY, Derek, R.; (US).
MIAO, Li Yan; (US).
NGUYEN, Victor; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; (US)
Priority Data:
61/042,638 04.04.2008 US
Title (EN) BORON NITRIDE AND BORON-NITRIDE DERIVED MATERIALS DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE NITRURE DE BORE ET DE MATÉRIAUX DÉRIVÉS DE NITRURE DE BORE
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus are provided to form spacer materials adjacent substrate structures. In one embodiment, a method is provided for processing a substrate including placing a substrate having a substrate structure adjacent a substrate surface in a deposition chamber, depositing a spacer layer on the substrate structure and substrate surface, and etching the spacer layer to expose the substrate structure and a portion of the substrate surface, wherein the spacer layer is disposed adjacent the substrate structure. The spacer layer may comprise a boron nitride material. The spacer layer may comprise a base spacer layer and a liner layer, and the spacer layer may be etched in a two-step etching process.
(FR)L’invention concerne un procédé et un appareil pour former de matériaux espaceurs adjacents à des structures de substrat. Dans un mode de réalisation, un procédé est proposé pour traiter un substrat comprenant le placement d’un substrat ayant une structure de substrat adjacente à une surface de substrat dans une chambre de dépôt, le dépôt d’une couche d’espaceur sur la structure de substrat et une surface de substrat, et la gravure de la couche d’espaceur pour exposer la structure de substrat et une partie de la surface de substrat, la couche d’espaceur étant disposée adjacente à la structure de substrat. La couche d’espaceur peut comprendre un matériau nitrure de bore. La couche d’espaceur peut comprendre une couche d’espaceur de base et une couche de doublure, et la couche d’espaceur peut être gravée dans un procédé de gravure à deux étapes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)