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1. (WO2009136906) NANOWIRE-BASED PHOTODIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/136906    International Application No.:    PCT/US2008/062683
Publication Date: 12.11.2009 International Filing Date: 05.05.2008
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), H01L 31/101 (2006.01)
Applicants: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US) (For All Designated States Except US).
WANG, Shih-yuan [US/US]; (US) (For US Only).
TAN, Michael R. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WANG, Shih-yuan; (US).
TAN, Michael R.; (US)
Agent: COLLINS, David W.; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration Mail Stop 35 P.O. Box 272400 Fort Collins, Colorado 80527-2400 (US)
Priority Data:
Title (EN) NANOWIRE-BASED PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À NANOFIL
Abstract: front page image
(EN)A nanowire-based photodiode 100 and an interdigital p-i-n photodiode 200 use an i-type semiconductor nanowire 140, 240 in an i-region of the photodiode 100, 200. The nanowire-based photodiode 100, 200 includes a first sidewall 110, 212, 210 of a first semiconductor doped with a p-type dopant, a second sidewall 120, 222, 220 of the first semiconductor doped with an n-type dopant, and an intrinsic semiconductor nanowire 140, 240 that spans a trench 130, 230 between the first and second sidewalls. The trench is wider at a top than at a bottom adjacent to a substrate 150, 160, 250. The first semiconductor of one or both of the first sidewall and the second sidewall is single crystalline and together the first sidewall, the nanowire and the second sidewall form a p-i-n semiconductor junction of the photodiode.
(FR)L'invention concerne une photodiode à nanofil (100) et une photodiode p-i-n interdigitée (200) qui utilisent un nanofil semi-conducteur de type i (140, 240) dans une région i de la photodiode (100, 200). La photodiode à nanofil (100, 200) comporte une première paroi latérale (110, 212, 210) constituée d'un premier semi-conducteur dopé avec un dopant du type p, une seconde paroi latérale (120, 222, 220) constituée du premier semi-conducteur dopé avec un dopant du type n, et un nanofil semi-conducteur intrinsèque (140, 240) qui s'étend au travers d'une tranchée (130, 230) située entre les première et seconde parois latérales. La tranchée est plus large au niveau d'une surface supérieure qu'au niveau d'une surface inférieure adjacente à un substrat (150, 160, 250). Le premier semi-conducteur de la première et/ou de la seconde paroi latérale est monocristallin et conjointement avec la première paroi latérale, le nanofil et la seconde paroi latérale forment une jonction semi-conductrice p-i-n de la photodiode.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)