WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009136789) MODELING OF A REFLECTIVE MULTILAYER WALL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/136789    International Application No.:    PCT/NL2009/050244
Publication Date: 12.11.2009 International Filing Date: 06.05.2009
IPC:
G01S 7/52 (2006.01), G01S 15/00 (2006.01), H05K 9/00 (2006.01)
Applicants: NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Schoemakerstraat 97 NL-2628 VK Delft (NL) (For All Designated States Except US).
SCHIPPERS, Pieter [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: SCHIPPERS, Pieter; (NL)
Agent: HATZMANN, M.J.; (NL)
Priority Data:
08155680.5 06.05.2008 EP
Title (EN) MODELING OF A REFLECTIVE MULTILAYER WALL
(FR) MODÉLISATION D'UNE PAROI MULTICOUCHE RÉFLÉCHISSANTE
Abstract: front page image
(EN)A method of modelling a reflective wall (W) having an outer wall surface (OS) facing towards a wave source, an inner wallsurface (IS) facing away from the wave source, and a wall thickness (T) defined by said surfaces, comprises the step of providing a first set of sampling points (11) arranged in a first plane(10). The first plane substantially corresponds tothe outer wall surface(OS), while each sampling point represents local wave reflectionproperties of the wall. The method further comprises the step of providing a second set of sampling points (21) arranged in a second plane(20), which second plane substantiallycorresponds tothe inner wall surface(IS). The distance (D1) between the first plane (10) and the second plane (20) substantially correspondstothe wall thickness(T). The method may further comprise the step of providing at least one additional set of sampling points (31;41) arranged in an additional plane(30;40), the distance between the at least one additional plane and any preceding plane substantially corresponding tothe wall thickness.
(FR)L'invention concerne un procédé de modélisation d'une paroi réfléchissante (W) ayant une surface de paroi externe (OS) tournée vers une source d'ondes, une surface de paroi interne (IS) tournée à l'opposé de la source d'ondes, et une épaisseur de paroi (T) définie par lesdites surfaces, lequel procédé comprend l'étape de définition d'un premier ensemble de points d'échantillonnage (11) disposés dans un premier plan (10). Le premier plan correspond sensiblement à la surface de paroi externe (OS), tandis que chaque point d'échantillon représente des propriétés locales de réflexion d'onde de la paroi. Le procédé comprend en outre l'étape de définition d'un second ensemble de points d'échantillonnage (21) disposés dans un second plan (20), lequel second plan correspond sensiblement à la surface de paroi interne (IS). La distance (D1) entre le premier plan (10) et le second plan (20) correspond sensiblement à l'épaisseur de paroi (T). Le procédé peut en outre comprendre l'étape de définition d'au moins un ensemble supplémentaire de points d'échantillonnage (31; 41) disposés dans un plan supplémentaire (30; 40), la distance entre le ou les plans supplémentaires et tout plan précédent correspondant sensiblement à l'épaisseur de paroi.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)