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1. (WO2009136464) METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL AND APPARATUS FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/136464    International Application No.:    PCT/JP2009/001282
Publication Date: 12.11.2009 International Filing Date: 24.03.2009
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/10 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (For All Designated States Except US).
SUGAWARA, Kosei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HOSHI, Ryoji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAZAWA, Masanori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYAHARA, Yuuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IWASAKI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUGAWARA, Kosei; (JP).
HOSHI, Ryoji; (JP).
TAKAZAWA, Masanori; (JP).
MIYAHARA, Yuuichi; (JP).
IWASAKI, Atsushi; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F 6-11, Ueno 7-chome Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Priority Data:
2008-122721 08.05.2008 JP
Title (EN) METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL AND APPARATUS FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ POUR FAIRE CROÎTRE UN MONOCRISTAL ET APPAREIL POUR TIRER UN MONOCRISTAL
(JA) 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for growing a silicon single crystal by pulling up a single crystal from a melt of a raw material silicon molten within a quartz crucible by a Czochralski method. The method is characterized in that a DC voltage is applied across a positive electrode disposed on the outer wall side of the quartz crucible and a negative electrode, which is an electrode provided separately from a pull-up shaft for pulling up the single crystal and immersed in the melt of the raw material silicon, and a single crystal is grown by the pull-up shaft while applying current from the electrodes. Also disclosed is an apparatus for pulling up a single crystal. According to the above constitution, in a silicon single crystal growth process, the formation of a proper crystallized layer, that is, loss of transparency, occurs on the surface of the inner wall of the quartz crucible. Further, the incorporation of an alkali metal such as Li in the silicon single crystal is prevented. Thus, the yield and productivity of the single crystal can be improved. Further, abnormal growth of an oxide film, which is formed during heat oxidation treatment after cutting into wafers, can be suppressed.
(FR)L’invention concerne un procédé pour faire croître un monocristal de silicium en tirant un monocristal à partir d’une fonte de silicium matière première fondu dans un creuset de quartz à l’aide d’un procédé de Czochralski. Le procédé est caractérisé en ce qu’une tension continue est appliquée à travers une électrode positive disposée sur la paroi externe du creuset de quartz et une électrode négative, qui est une électrode prévue séparément d’une tige de tirage pour tirer le monocristal et immergée dans la fonte du silicium matière première, et en ce qu’un monocristal est fait croître par la tige de tirage pendant que du courant est appliqué à partir des électrodes. L’invention concerne également un appareil pour tirer un monocristal. Selon la constitution ci-dessus, dans un processus de croissance de monocristal de silicium, la formation d’une couche cristallisée appropriée, c’est-à-dire la perte de transparence, se produit sur la surface de la paroi interne du creuset de quartz. En outre, l’incorporation d’un métal alcali tel que Li dans le monocristal de silicium est évitée. Ainsi, le rendement et la productivité du monocristal peuvent être améliorés. En outre, la croissance anormale d’un film d’oxyde, qui se forme durant le traitement d’oxydation thermique après le découpage en tranches, peut être supprimée.
(JA) 本発明は、チョクラルスキー法により、石英坩堝内で溶融したシリコン原料の溶融液から単結晶を引き上げて成長させる方法において、前記石英坩堝の外壁側が正極、前記単結晶を引き上げる引上軸とは別途設置され、前記シリコン原料の溶融液に浸漬された電極側が負極となるように直流電圧を印加し、前記電極から電流を流しながら、前記引上軸により単結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の成長方法とその引き上げ装置である。これにより、シリコン単結晶の成長過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層すなわち失透を発生させると同時に、シリコン単結晶中にLi等のアルカリ金属が取り込まれるのを防止することにより、単結晶歩留まりと生産性を向上させることができると共に、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理における酸化膜の異常成長を抑制できるシリコン単結晶の成長方法および引き上げ装置が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)