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1. (WO2009136441) ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/136441    International Application No.:    PCT/JP2008/058617
Publication Date: 12.11.2009 International Filing Date: 09.05.2008
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01J 37/21 (2006.01), H01J 37/305 (2006.01)
Applicants: ADVANTEST CORPORATION [JP/JP]; 32-1, Asahi-cho 1-chome, Nerima-ku, Tokyo 1790071 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMADA, Akio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUROKAWA, Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMADA, Akio; (JP).
KUROKAWA, Masaki; (JP)
Agent: OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg., 4F, 11-7 Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
Priority Data:
Title (EN) ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE PAR FAISCEAU D’ÉLECTRONS
(JA) 電子線描画装置及び電子線描画方法
Abstract: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide an electron beam lithography system and a method for electron beam lithography which enables high-accuracy exposure processing operation continually over an extended period of time even after completion of calibration. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The electron beam lithography system has an electron gun for discharging an electron beam to be irradiated onto a sample, a deflector for deflecting the electron beam, a focus compensator for compensating a focus of the electron beam, a storage section for storing exposure data, and a control section which corrects the exposure data on the basis of a fixed correction coefficient invariable over time and a variable correction coefficient variable over time, and calculates a deflection efficiency representing a relationship between an input signal of the deflector and the amount of beam deflection as well as a correction strength representing a relationship between an input signal of the focus compensator and a beam focus to lithograph the sample in accordance with the deflection efficiency and correction strength. The fixed correction coefficient is determined according to a lithographing position of the sample, while the variable correction coefficient is determined according to a value of variable factor data measured by a measuring instrument.
(FR)L'invention vise à proposer un système de lithographie par faisceau d’électrons et un procédé de lithographie par faisceau d’électrons permettant l’exploitation d’un traitement par exposition de haute précision en continu sur une période prolongée, même après avoir achevé l’étalonnage. Le système de lithographie par faisceau d’électrons selon l’invention comprend un canon à électrons servant à lancer un faisceau d’électrons destiné à irradier un échantillon, un déflecteur servant à dévier le faisceau d’électrons, un compensateur de focalisation servant à compenser une focalisation du faisceau d’électrons, une section de mémorisation servant à mémoriser des données d’exposition, et une section de commande qui corrige les données d’exposition sur la base d’un coefficient de correction fixe invariable dans le temps et d’un coefficient de correction variable dans le temps, et calcule un rendement de déviation représentant une relation entre un signal d’entrée du déflecteur et l’ampleur de déviation du faisceau ainsi qu’une force de correction représentant une relation entre un signal d’entrée du compensateur de focalisation et une focalisation du faisceau pour traiter l’échantillon par lithographie en accord avec le rendement de déviation et la force de correction. Le coefficient de correction fixe est déterminé en fonction d’une position de lithographie de l’échantillon, tandis que le coefficient de correction variable est déterminé en fonction de la valeur d’une donnée de facteur variable mesurée par un instrument de mesure.
(JA)【課題】キャリブレーションを実施した後も長期間継続して高精度に露光処理が可能な電子線描画装置及び電子線描画方法を提供すること。 【解決手段】電子線描画装置は、試料に照射する電子ビームを放出する電子銃と、電子ビームを偏向する偏向器と、電子ビームの焦点を補正する焦点補正器と、露光データが格納された記憶部と、時間経過に依存しない固定補正係数と時間経過に従って変化する変動補正係数とを基に露光データを補正して、偏向器の入力信号とビーム偏向量との関係を示す偏向能率及び焦点補正器の入力信号とビーム焦点との関係を示す補正強度を算出し、偏向能率及び補正強度に従って試料を描画する制御部とを有する。固定補正係数は、試料の描画位置に応じて決定され、変動補正係数は、計測器で計測された変動要因データの値に応じて決定される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)