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Pub. No.:    WO/2009/136320    International Application No.:    PCT/IB2009/051740
Publication Date: 12.11.2009 International Filing Date: 29.04.2009
H01G 7/04 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
FURUKAWA, Yukiko [JP/NL]; (NL) (For US Only).
REIMANN, Klaus [DE/NL]; (NL) (For US Only).
JEDEMA, Friso Jacobus [NL/NL]; (NL) (For US Only).
TIGGELMAN, Markus Petrus Josephus [NL/NL]; (NL) (For US Only).
ROEST, Aarnoud Laurens [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: FURUKAWA, Yukiko; (NL).
REIMANN, Klaus; (NL).
JEDEMA, Friso Jacobus; (NL).
TIGGELMAN, Markus Petrus Josephus; (NL).
ROEST, Aarnoud Laurens; (NL)
Agent: VAN DER VEER, Johannis Leendert; (NL)
Priority Data:
08155869.4 08.05.2008 EP
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to electronic device having an operation temperature range, wherein the electronic device comprises a tunable capacitor (CST) comprising a first electrode (BE), a second electrode (TE), and a dielectric (FEL) arranged between the first electrode (BE) and the second electrode (TE). The dielectric (FEL) comprises dielectric material (FEL) having a value of a relative dielectric constant (εr) varying at least within the operation temperature range. The electronic device further comprises a temperature varying means (RES) being thermally coupled to the tunable capacitor for providing a temperature of the dielectric (FEL) causing a predetermined capacitance of the tunable capacitor (CST). The invention, which relies on the idea of varying temperature to vary a capacitance of a capacitor stack, provides an alternative tunable capacitor type for the known types. Advantageous embodiments feature high-tuning ratio, small device area, and stable capacitance value in case the temperature is well controlled. The invention further relates to a semiconductor device comprising the electronic device in accordance with the invention, to an electronic circuit comprising such electronic device, and to a method of manufacturing such electronic device.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électronique qui possède une plage de température de fonctionnement. Le dispositif électronique comprend un condensateur accordable (CST) qui comprend une première électrode (BE), une seconde électrode (TE), et un diélectrique (FEL) agencé entre la première électrode (BE) et la seconde électrode (TE). Le diélectrique (FEL) comprend un matériau diélectrique (FEL) qui possède une valeur d’une constante diélectrique relative (εr) qui varie au moins au sein de la plage de température de fonctionnement. Le dispositif électronique comprend en outre un moyen de variation de température (RES) qui est couplé thermiquement au condensateur accordable pour fournir une température du diélectrique (FEL) qui entraîne une capacité prédéterminée du condensateur accordable (CST). L’invention, qui est fondée sur l’idée d’une température variable pour faire varier une capacité d’une pile de condensateurs, fournit une variante de type de condensateur accordable pour les types connus. Des modes de réalisation avantageux comprennent des rapports d’accord élevés, une faible superficie de dispositif, et une valeur de capacité stable au cas où la température est bien régulée. L’invention concerne en outre un dispositif à semi-conducteur qui comprend un dispositif électronique selon la présente invention, un circuit électrique qui comprend un tel dispositif électronique et un procédé de fabrication d’un tel dispositif électronique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)