WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009135188) LED STRUCTURE TO INCREASE BRIGHTNESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/135188    International Application No.:    PCT/US2009/042624
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 01.05.2009
Chapter 2 Demand Filed:    25.02.2010    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: BRIDGELUX, INC. [US/US]; 1170 Sonora Court Sunnyvale, CA 94086 (US) (For All Designated States Except US).
SHUM, Frank [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SHUM, Frank; (US)
Agent: GELFOUND, Craig, A.; Arent Fox, LLP 555 West Fifth Street 48th Floor Los Angeles, CA 90013-1065 (US)
Priority Data:
61/049,612 01.05.2008 US
12/183,020 30.07.2008 US
Title (EN) LED STRUCTURE TO INCREASE BRIGHTNESS
(FR) STRUCTURE DE DEL POUR AUGMENTER LA LUMINOSITÉ
Abstract: front page image
(EN)A light emitting semiconductor device comprising an LEO having an emission aperture located on a surface of the LED wherein the emission aperture has a size that is smaller than a surface area of the LED where the emission aperture is formed. The device further includes a reflector surrounding both side walls, a bottom surface, and portions of a surface of the LED where the emission aperture is formed or surrounding the bottom surface and portions of the surface of the LED where the emission aperture is formed so that an area on the surface uncovered by the reflector is the emission aperture and is smaller than the area of the LED.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs électroluminescent comprenant une DEL ayant une ouverture d'émission située sur une surface de la DEL, et l'ouverture d'émission ayant une taille qui est plus petite qu'une surface de la DEL où l'ouverture d'émission est formée. Le dispositif comprend en outre un réflecteur entourant les deux parois latérales, une surface inférieure, et des parties d'une surface de la DEL où l'ouverture d'émission est formée ou entourant la surface inférieure, et des parties de la surface de la DEL où l'ouverture d'émission est formée de sorte qu'une zone sur la surface non couverte par le réflecteur est l'ouverture d'émission et est plus petite que la zone de la DEL. En variante, dans le semi-conducteur électroluminescent, la surface de la DEL sensiblement alignée avec l'ouverture d'émission peut être rendue rugueuse et la surface de la DEL au delà de l'ouverture d'émission peut être lisse. La surface de la DEL au delà de l'ouverture d'émission peut également être couverte d'un réflecteur à faible perte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)