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1. (WO2009135050) PROCESS KIT FOR RF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/135050    International Application No.:    PCT/US2009/042387
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 30.04.2009
IPC:
H01L 21/203 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
YOUNG, Donny [US/US]; (US) (For US Only).
HAWRYLCHAK, Lara [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YOUNG, Donny; (US).
HAWRYLCHAK, Lara; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; (US)
Priority Data:
61/050,112 02.05.2008 US
Title (EN) PROCESS KIT FOR RF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) KIT DE TRAITEMENT DE DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR À HF
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the invention generally relate to a process kit for a semiconductor processing chamber, and a semiconductor processing chamber having a kit. More specifically, embodiments described herein relate to a process kit including a cover ring, a shield, and an isolator for use in a physical deposition chamber. The components of the process kit work alone and in combination to significantly reduce particle generation and stray plasmas. In comparison with existing multiple part shields, which provide an extended RF return path contributing to RF harmonics causing stray plasma outside the process cavity, the components of the process kit reduce the RF return path thus providing improved plasma containment in the interior processing region.
(FR)L'invention concerne de manière générale un kit de traitement pour une chambre de traitement de semi-conducteur, et une chambre de traitement de semi-conducteur ayant un kit. De manière plus spécifique, des modes de réalisation décrits ici concernent un kit de traitement comprenant un anneau de recouvrement, un écran, et un isolant destinés à être utilisés dans une chambre de dépôt physique. Les composants du kit de traitement agissent seuls ou en combinaison pour réduire de manière significative la création de particules et de plasmas parasites. Par comparaison avec des écrans à multiples parties existants, qui fournissent un trajet de retour HF étendu contribuant à ce que des harmoniques HF provoquent un plasma parasite à l'extérieur de la cavité de traitement, les composants du kit de traitement réduisent le trajet de retour HF en fournissant ainsi un confinement amélioré du plasma dans la zone de traitement intérieure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)