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Pub. No.:    WO/2009/134840    International Application No.:    PCT/US2009/042030
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 29.04.2009
H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
YU, Sang-Ho [KR/US]; (US) (For US Only).
MORAES, Kevin [IN/US]; (US) (For US Only).
GANGULI, Seshadri [IN/US]; (US) (For US Only).
CHUNG, Hua [US/US]; (US) (For US Only).
PHAN, See-Eng [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YU, Sang-Ho; (US).
MORAES, Kevin; (US).
GANGULI, Seshadri; (US).
CHUNG, Hua; (US).
PHAN, See-Eng; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; (US)
Priority Data:
12/111,921 29.04.2008 US
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the invention provide processes to selectively form a cobalt layer on a copper surface over exposed dielectric surfaces. In one embodiment, a method for capping a copper surface on a substrate is provided which includes exposing a contaminated copper surface of a substrate within a processing chamber to a reducing agent while forming a metallic copper surface during a pre-treatment process, exposing the substrate to a cobalt precursor gas to selectively form a cobalt capping layer over or on the metallic copper surface while leaving exposed dielectric surfaces on the substrate during a vapor deposition process, and depositing a dielectric barrier layer over or on the cobalt capping layer and the dielectric surfaces. In another embodiment, a deposition-treatment cycle includes performing the vapor deposition process and subsequently a post-treatment process, which deposition-treatment cycle may be repeated to form multiple cobalt capping layers.
(FR)Des modes de réalisation de l'invention concernent des procédés pour former de façon sélective une couche de cobalt sur une surface de cuivre sur des surfaces diélectriques exposées. Dans un mode de réalisation, un procédé pour recouvrir un substrat par surface de cuivre est proposé, lequel comprend l'exposition d'une surface de cuivre contaminée d'un substrat à l'intérieur d'une chambre de traitement à un agent réducteur tout en formant une surface de cuivre métallique durant un procédé de prétraitement, l'exposition du substrat à un gaz précurseur de cobalt pour former sélectivement une couche de recouvrement de cobalt par-dessus ou sur la surface de cuivre métallique tout en laissant des surfaces diélectriques exposées sur le substrat durant un procédé de dépôt en phase vapeur, et le dépôt d'une couche barrière diélectrique par-dessus ou sur la couche de recouvrement de cobalt et les surfaces diélectriques. Dans un autre mode de réalisation, un cycle de dépôt-traitement comprend la réalisation du procédé de dépôt en phase vapeur et par la suite un procédé de post-traitement, lequel cycle de dépôt-traitement pouvant être répété pour former de multiples couches de recouvrement de cobalt.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)