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1. (WO2009134838) SYSTEM AND METHOD OF ENCAPSULATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/134838    International Application No.:    PCT/US2009/042028
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 29.04.2009
IPC:
B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: CAVENDISH KINETICS, LTD. [GB/GB]; 5 New Street Square London, Greater London EC4A 3TW (GB) (For All Designated States Except US).
LACEY, Joseph, Damian Gordon [GB/US]; (US) (For US Only).
RENAULT, Mickael [FR/US]; (US) (For US Only).
JOSHI, Vikram [IN/US]; (US) (For US Only).
BOBEY, James, F. [US/US]; (US) (For US Only).
VAN KAMPEN, Robertus, P. [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: LACEY, Joseph, Damian Gordon; (US).
RENAULT, Mickael; (US).
JOSHI, Vikram; (US).
BOBEY, James, F.; (US).
VAN KAMPEN, Robertus, P.; (NL)
Agent: PATTERSON, B., Todd; (US)
Priority Data:
61/126,072 30.04.2008 US
12/266,457 06.11.2008 US
Title (EN) SYSTEM AND METHOD OF ENCAPSULATION
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION
Abstract: front page image
(EN)Embodiments discussed herein generally include methods of fabricating MEMS devices within a structure. The MEMS device may be formed in a cavity above the structure, and additional metallization may occur above the MEMS device. The cavity may be formed by depositing an encapsulating layer over the sacrificial layers that enclose the MEMS device. The encapsulating layer may then be etched to expose portions of the sacrificial layers. The sacrificial layers are exposed because they extend through the sidewalls of the encapsulating layer. Therefore, no release holes are etched through the top of the encapsulating layer. An etchant then removes the sacrificial layers to free the MEMS device and form the cavity and an opening through the sidewall of the encapsulating layer. Another encapsulating layer may then be deposited to seal the cavity and the opening.
(FR)Les modes de réalisation de l’invention concernent généralement des procédés de fabrication de dispositifs MEMS (microsystèmes électromécaniques) à l’intérieur d’une structure. Le dispositif MEMS peut être formé dans une cavité au-dessus de la structure, et une métallisation supplémentaire peut se produire au-dessus du dispositif MEMS. La cavité peut être formée en déposant une couche d'encapsulation sur les couches sacrificielles qui entourent le dispositif MEMS. La couche d'encapsulation peut ensuite être attaquée pour exposer des parties des couches sacrificielles. Les couches sacrificielles sont exposées car elles s’étendent à travers les parois latérales de la couche d’encapsulation. Par conséquent, aucun orifice d’évacuation n’est attaqué à travers le dessus de la couche d’encapsulation. Un agent d’attaque retire ensuite les couches sacrificielles pour libérer le dispositif MEMS et former la cavité et une ouverture à travers la paroi latérale de la couche d’encapsulation. Une autre couche d’encapsulation peut ensuite être déposée pour assurer l’étanchéité de la cavité et de l’ouverture.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)