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1. (WO2009134484) METHOD OF MAKING TERNARY PIEZOELECTRIC CRYSTALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/134484    International Application No.:    PCT/US2009/032513
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 30.01.2009
Chapter 2 Demand Filed:    02.02.2010    
IPC:
H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/22 (2006.01), C30B 11/00 (2006.01)
Applicants: TRS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 2820 East College Avenue State College, PA 16801 (US) (For All Designated States Except US).
LUO, Jun [CN/US]; (US) (For US Only).
HACKENBERGER, Wesley [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LUO, Jun; (US).
HACKENBERGER, Wesley; (US)
Agent: SANTA MARIA, Carmen; Mcnees Wallace & Nurick, LLC 100 Pine Street P.O. Box 1166 Harrisburg, PA 17108-1166 (US)
Priority Data:
12/023,646 31.01.2008 US
Title (EN) METHOD OF MAKING TERNARY PIEZOELECTRIC CRYSTALS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CRISTAUX PIÉZO-ÉLECTRIQUES À SYMÉTRIE TERNAIRE
Abstract: front page image
(EN)A ternary single crystal relaxor piezoelectric grown from a novel melt using the Vertical Bridgeman method and process for making a ternary single crystal relaxor piezoelectric. The ternary single crystals are characterized by a Curie temperature, Tc, of at least 150°C and a rhombohedral to tetragonal phase transition temperature, Trt, of at least about 110°C. The ternary crystals further exhibit a piezoelectric coefficient, d33, in the range of at least about 1200-2000 pC/N.
(FR)La présente invention concerne un monocristal piézo-électrique de type relaxeur à symétrie ternaire dont la croissance s’est faite à partir d’une nouvelle phase fondue à l’aide de la méthode Bridgeman Verticale et un procédé de fabrication de monocristal piézo-électrique de type relaxeur à symétrie ternaire. Les monocristaux à symétrie ternaire sont caractérisés par une température Curie, Tc, d’au moins 150 °C et une température de transition de la phase rhomboédrique à la phase tétragonale d’au moins 110 °C environ. Les cristaux à symétrie ternaire présentent en outre un coefficient piézo-électrique, d33, variant d’environ 1200 à 2000 pC/N.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)