WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009134386) METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/134386    International Application No.:    PCT/US2009/002631
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 30.04.2009
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One Amd Place Mail Stop 68 P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (For All Designated States Except US).
BARTSCH, Christin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FISCHER, Daniel [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHALLER, Matthias [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BARTSCH, Christin; (DE).
FISCHER, Daniel; (DE).
SCHALLER, Matthias; (DE)
Agent: DRAKE, Paul, S.; (US)
Priority Data:
10 2008 021 568.6 30.04.2008 DE
12/397,661 04.03.2009 US
Title (EN) METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DE L'ÉROSION D'UNE COUCHE DE PROTECTION MÉTALLIQUE PENDANT LE MODELAGE DE TROUS D'INTERCONNEXION DANS DES DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)During the patterning of via openings in sophisticated metallization systems of semiconductor devices, the opening (221A) extends through a conductive cap layer (213) and an appropriate ion bombardment is established to redistribute material of the underlying metal region (212) to exposed sidewall portions of the conductive cap layer (213), thereby establishing a protective material (212P). Consequently, in a subsequent wet chemical etch process (215), the probability for undue material removal of the conductive cap layer (213) may be greatly reduced.
(FR)Pendant le modelage de trous d'interconnexion dans des systèmes de métallisation sophistiqués de dispositifs à semi-conducteur, l'ouverture (221A) s'étend à travers une couche de protection conductrice (213) et un bombardement ionique approprié s'établit pour redistribuer la matière de la région métallique sous-jacente (212) à des parties de paroi latérale exposées de la couche de protection conductrice (213), mettant ainsi en place un matériau protecteur (212P). En conséquence, dans un processus ultérieur de gravure chimique (215), la probabilité d'enlèvement intempestif de matière de la couche de protection conductrice (213) peut être fortement réduite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)