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1. (WO2009133897) CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/133897    International Application No.:    PCT/JP2009/058375
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 28.04.2009
IPC:
H01B 5/00 (2006.01), C09J 9/02 (2006.01), C09J 11/04 (2006.01), C09J 201/00 (2006.01), H01L 21/52 (2006.01), H01R 4/04 (2006.01)
Applicants: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449 (JP) (For All Designated States Except US).
HAYASHI Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KONNO Kaoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAIRA Ayako [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HAYASHI Hiroki; (JP).
KONNO Kaoru; (JP).
TAIRA Ayako; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl. 1-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2008-118418 30.04.2008 JP
Title (EN) CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MATÉRIAU DE CONNEXION ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 接続材料及び半導体装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a connecting material that, even when joined at a curing temperature of 200°C or below without applying a load, has a high coefficient of thermal conductivity and has a satisfactory bonding strength even when a cured product is heated at 260°C. Also disclosed is a semiconductor device using the connecting material. The connecting material contains metal particles having an oxygen state ratio of less than 15% as measured by X-ray photoelectron spectroscopy. In particular, the connecting material contains metal particles subjected to treatment for removing an oxide film present on the surface thereof and to surface treatment with a surface protective material.
(FR)La présente invention concerne un matériau de connexion qui, même lorsqu'il est joint à une température de durcissement de 200 °C ou moins sans l'application d'une charge, présente un coefficient élevé de conductivité thermique et présente une résistance de liaison satisfaisante même lorsqu'un produit durci est chauffé à 260 °C. L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur utilisant le matériau de connexion. Le matériau de connexion contient des particules métalliques présentant un taux d'état d'oxygène inférieur à 15 %, comme cela est mesuré par spectroscopie photoélectronique des rayons X. En particulier, le matériau de connexion contient des particules métalliques soumises à un traitement permettant d'enlever le film d'oxyde se trouvant à la surface de celui-ci et de traiter la surface avec un matériau de protection de surface.
(JA) 本発明は、加重をかけることなく200℃以下の硬化温度で接合した場合であっても、高い熱伝導率を有し、且つ硬化体を260℃で加熱した場合であっても、十分な接着強度を有する接続材料及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的として、X線光電子分光法で測定される酸素の状態比率が15%未満である金属粒子を含有する接続材料、特にその表面の酸化膜を除去する処理及び表面保護材による表面処理を施した金属粒子を含有する接続材料を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)