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1. (WO2009133713) HIGH-FREQUENCY FILTER DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/133713    International Application No.:    PCT/JP2009/001984
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 01.05.2009
IPC:
H01P 1/208 (2006.01), H01P 3/12 (2006.01), H01P 5/103 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
ENOKIHARA, Akira; (For US Only)
Inventors: ENOKIHARA, Akira;
Agent: TANAKA, Mitsuo; (JP)
Priority Data:
2008-119660 01.05.2008 JP
Title (EN) HIGH-FREQUENCY FILTER DEVICE
(FR) DISPOSITIF FILTRANT HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波フィルタ装置
Abstract: front page image
(EN)A high-frequency filter device includes a dielectric layer (1), a pair of conductive layers (4, 5) formed on both sides of the dielectric layer (1) and opposed to each other, shielding via conductors (8) formed so as to electrically connect the conductive layers (4, 5), a waveguide resonator portion (9) formed by the shielding via conductors (8), a dielectric layer (2) formed on the conductive layer (4), a pair of strip conductors (6) formed on the dielectric layer (2), and a pair of input/output connection via conductors (10).  The input/output connection via conductors (10) extend through the conductive layer (4) and the waveguide resonator portion (9), out of contact with the conductive layer (4).  One end of each of the input/output connection via conductors (10) is connected to the conductive layer (5), and the other is connected to the corresponding strip conductor (6).  When a high-frequency signal is inputted, resonance at least in a fundamental resonance mode and a secondary resonance mode occurs in the waveguide resonator portion (9).
(FR)La présente invention concerne un dispositif filtrant haute fréquence qui comprend une couche diélectrique (1), deux couches conductrices (4, 5) formées sur les deux côtés de la couche diélectrique (1) et mutuellement opposées, des conducteurs de trous d’interconnexion protecteurs (8) formés de façon à relier électriquement les couches conductrices (4, 5), une partie résonateur de guide d’onde (9) formée par les conducteurs de trous d’interconnexion protecteurs (8), une couche diélectrique (2) formée sur la couche conductrice (4), deux conducteurs bandes (6) formés sur la couche diélectrique (2) et deux conducteurs de trous d’interconnexion de connexion d’entrée/sortie (10). Les conducteurs de trous d’interconnexion de connexion d’entrée/sortie (10) s’étendent à travers la couche conductrice (4) et la partie résonateur de guide d’onde (9), sans contact avec la couche conductrice (4). Une extrémité de chacun des conducteurs de trous d’interconnexion de connexion d’entrée/sortie (10) est connectée à la couche conductrice (5) et l’autre est connectée au conducteur bande correspondant (6). Lorsqu’un signal haute fréquence est entré, une résonance au moins dans un mode de résonance fondamentale et un mode de résonance secondaire se produit dans la partie résonateur du guide d’onde (9).
(JA) 高周波フィルタ装置は、誘電体層(1)と、前記誘電体層(1)の両面に形成された対向する1対の導体層(4、5)と、一対の導体層(4、5)を短絡するように形成された複数の遮蔽ビア導体(8)と、遮蔽ビア導体(8)によって形成された導波管共振器部分(9)と、導体層(4)の表面に形成された他の誘電体層(2)と、誘電体層(2)の表面に形成された一対のストリップ導体(6)と、一対の入出力結合ビア導体(10)とを備える。一対の入出力結合ビア導体(10)は、導体層(4)と導波管共振器部分(9)を導体層(4)に接触しないように貫通しており、一方の端が導体層(5)に接続され、他方の端は一対のストリップ導体(6)にそれぞれ接続されており、高周波信号を入力することによって、導波管共振器部分(9)において少なくとも基本共振モードと2次共振モードが励振される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)