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1. (WO2009133689) MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOELECTRIC TRANSDUCER, PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MANUFACTURED THEREBY, MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MODULE, AND PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MODULE MANUFACTURED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/133689    International Application No.:    PCT/JP2009/001909
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 27.04.2009
IPC:
H01M 14/00 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: FUJIKURA LTD. [JP/JP]; 5-1, kiba 1-chome, Koto-ku, Tokyo 1350042 (JP) (For All Designated States Except US).
USUI, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: USUI, Hiroki; (JP)
Agent: AOKI, Hiroaki; (JP)
Priority Data:
2008-116965 28.04.2008 JP
2009-040392 24.02.2009 JP
Title (EN) MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOELECTRIC TRANSDUCER, PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MANUFACTURED THEREBY, MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MODULE, AND PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MODULE MANUFACTURED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE AINSI PRODUIT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MODULE DE TRANSDUCTEURS PHOTOÉLECTRIQUES ET MODULE DE TRANSDUCTEURS PHOTOÉLECTRIQUES AINSI PRODUIT
(JA) 光電変換素子の製造方法、及び、それにより製造される光電変換素子、及び、光電変換素子モジュールの製造方法、及び、それにより製造される光電変換素子モジュール
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a manufacturing method for a photoelectric transducer that can easily manufacture a photoelectric transducer comprising a terminal that is strongly bonded to a titanium electrode.  The manufacturing method of a photoelectric transducer (100) comprises: a semiconductor-forming process for forming a porous oxide semiconductor layer (3) either on the surface of a catalyst layer (6) of a first electrode (10) containing both a metal plate (4) composed of either titanium or a metal alloy that includes titanium and the catalyst layer (6), or on the surface of a transparent conductor (1) of a second electrode (20) containing the transparent conductor (1); a dye-supporting process that causes the porous oxide semiconductor layer (3) to support a photosensitizing dye; a sealing process that surrounds and seals the porous oxide semiconductor layer (3) and an electrolyte (5) with a sealing material (14) between the first electrode (10) and the second electrode (20); and a terminal-forming process that forms a terminal (7) on the metal plate (4), wherein in the terminal-forming process, the terminal (7) is characterized by being formed when a metallic component containing at least one of either copper or nickel is pressurized by being pressed against the metal plate (4) while an ultrasonic wave is applied to the metallic component.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de transducteur photoélectrique, ce procédé de production étant capable de produire facilement un transducteur photoélectrique possédant une borne qui est fortement connectée à une électrode contenant du titane. Un procédé de production de transducteur photoélectrique (100) comprend un processus de formation de semi-conducteur destiné à former une couche semi-conductrice d'oxyde poreux (3) sur une surface d'une couche catalytique (6) d'une première électrode (10) possédant une plaque de métal (4) contenant du titane ou un alliage contenant du titane ou, sur une surface d'un conducteur transparent (1) d'une seconde électrode (20) possédant ce conducteur transparent (1), un processus de support de matière colorante pour faire en sorte que la couche semi-conductrice d'oxyde poreux (3) supporte la matière colorante photosensible, un processus de scellement destiné à englober et sceller la couche semi-conductrice d'oxyde poreux (3) et un électrolyte (5) entre la première électrode (10) et la seconde électrode (20) avec un élément de scellement (14), et un processus de formation de borne destiné à former une borne (7) sur la plaque de métal (4), cette borne (7) étant formée en faisant en sorte qu'un élément métallique contenant au moins du cuivre et/ou du nickel soit pressurisé de sorte que l'élément métallique soit pressé sur une plaque de métal (4) et soumis à une onde ultrasonore dans le processus de formation de borne.
(JA)【課題】 チタンを用いる電極と強固に接合する端子を備える光電変換素子を容易に製造可能な光電変換素子の製造方法等を提供する。 【解決手段】 光電変換素子100の製造方法は、チタン或いはチタンを含む合金からなる金属板4と触媒層6とを有する第1電極10における触媒層6の表面上、又は、透明導電体1を有する第2電極20の透明導電体1の表面上に、多孔質酸化物半導体層3を形成する半導体形成工程と、多孔質酸化物半導体層3に光増感色素を担持させる色素担持工程と、第1電極10と第2電極20との間に多孔質酸化物半導体層3及び電解質5を封止材14により包囲して封止する封止工程と、金属板4上に端子7を形成する端子形成工程とを備え、端子形成工程において、端子7は、銅及びニッケルの少なくとも一方を含む金属部材が金属板4に押し付けられるように加圧されると共に金属部材に超音波が印加されて形成されることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)