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Pub. No.:    WO/2009/133646    International Application No.:    PCT/JP2008/072234
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 08.12.2008
H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKAKURA, Mitsuaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIURA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORINO, Masayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IDEI, Maki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ICHIJO, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJITA, Kazuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKAKURA, Mitsuaki; (JP).
NISHIURA, Shinichi; (JP).
HORINO, Masayuki; (JP).
IDEI, Maki; (JP).
ICHIJO, Takeshi; (JP).
FUJITA, Kazuo; (JP)
Agent: YOSHIDA, Kenji; 34-12, Kichijoji-honcho 1-chome, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Priority Data:
2008-120117 02.05.2008 JP
(JA) 接合領域判定方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device wherein a copper wire is bonded to an aluminum electrode is heated at approximately 250°C for 1-3 hours, then, the copper wire is melted by immersing the semiconductor device in concentrated nitric acid of 40% or more for approximately 60 seconds so as to expose an alloy layer from the bonding surface on the side of the aluminum electrode, and based on the pattern of the alloy layer on the bonding surface exposed by melting, the bonding region is judged. Thus, bonding region on the bonding surface between the aluminum electrode and the copper wire of the semiconductor device can be judged by the simple method.
(FR)Selon l'invention, un dispositif à semi-conducteur, dans lequel un fil de cuivre est collé à une électrode d'aluminium, est chauffé à environ 250 °C pendant 1 à 3 heures, puis le fil de cuivre est fondu par immersion du dispositif à semi-conducteur dans de l'acide nitrique concentré à 40 % ou plus pendant environ 60 secondes de façon à exposer une couche d'alliage à la surface de collage sur le côté de l'électrode d'aluminium et, sur la base du motif de la couche d'aluminium sur la surface de collage exposée par fusion, la région de collage est déterminée. Ainsi, la région de collage sur la surface de collage entre l'électrode d'aluminium et le fil de cuivre du dispositif à semi-conducteur peut être déterminée par un procédé simple.
(JA) アルミニウム電極に銅ワイヤを接合した半導体装置において、アルミニウム電極に銅ワイヤが接続された半導体装置を約250°Cで1~3時間加熱し、加熱の後に40%以上の濃硝酸に約60秒間浸漬させて銅ワイヤを溶解させてアルミニウム電極側の接合面に合金層を露出させ、溶解によって露出した接合面の合金層の模様に基づいて接合領域を判定する。簡便な方法で半導体装置のアルミニウム電極と銅ワイヤとの接合面の接合領域を判定することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)