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Pub. No.:    WO/2009/133623    International Application No.:    PCT/JP2008/058412
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 02.05.2008
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: Unisantis Electronics (Japan) Ltd. [JP/JP]; 2F, Fujilight Shinkawa Bldg., 22-11, Shinkawa 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040033 (JP) (For All Designated States Except US).
MASUOKA, Fujio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAMURA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MASUOKA, Fujio; (JP).
NAKAMURA, Hiroki; (JP)
Agent: KUMAKURA, Yoshio; NAKAMURA & PARTNERS, Shin-Tokyo Bldg., 3-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1008355 (JP)
Priority Data:
(JA) 固体撮像素子
Abstract: front page image
(EN)There is provided an image sensor with a high rate of the surface area of a light-receiving section to the surface area of one pixel. A solid-state image sensor includes: a signal line formed on a substrate; an island-like semiconductor arranged on the signal line; and a pixel selection line connected to the upper part of the island-like semiconductor. The island-like semiconductor includes:a first semiconductor layer that is arranged at the lower part of the island-like semiconductor and connected to the signal line; a second semiconductor layer adjacent to the upside of the first semiconductor layer; a gate connected to the second semiconductor layer through an insulating film; a charge storage section consisting of a third semiconductor layer that is connected to the second semiconductor layer and changes the quantity of electric charges when receiving light; and a fourth semiconductor layer adjacent to the upside of the second semiconductor layer and the third semiconductor layer and connected to the pixel selection line, the pixel selection line being formed of a transparent conductive film, and a part of the gate being arranged inside a recess formed in the sidewall of the second semiconductor layer. The above problem is solved by the solid-state image sensor.
(FR)La présente invention concerne un capteur d’images présentant un rapport élevé de la surface spécifique d’une section réception de la lumière par rapport à la surface spécifique d’un pixel. Un capteur d’image à semi-conducteur comprend : une ligne de signal formée sur un substrat ; un semi-conducteur en forme d’île disposé sur la ligne de signal ; et une ligne de sélection de pixel connectée à la partie supérieure du semi-conducteur en forme d’île. Le semi-conducteur en forme d’île comprend : une première couche semi-conductrice qui est disposée sur la partie inférieure du semi-conducteur en forme d’île et connectée à la ligne de signal ; une deuxième couche semi-conductrice adjacente au côté supérieur de la première couche semi-conductrice ; une grille connectée à la deuxième couche semi-conductrice par l’intermédiaire d’un film isolant ; une section stockage de charge consistant en une troisième couche semi-conductrice qui est connectée à la deuxième couche semi-conductrice et change la quantité de charges électriques lors de la réception de lumière ; et une quatrième couche semi-conductrice adjacente au côté supérieur de la deuxième couche semi-conductrice et à la troisième couche semi-conductrice et connectée à la ligne de sélection de pixel, la ligne de sélection de pixel étant formée d’un film conducteur transparent et une partie de la grille étant disposée dans un creux formé dans la paroi latérale de la deuxième couche semi-conductrice. Le problème ci-dessus est résolu par le capteur d’images à semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)