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1. (WO2009133607) PHOTOVOLTAIC DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/133607    International Application No.:    PCT/JP2008/058277
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 30.04.2008
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
Applicants: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (For All Designated States Except US).
YONEZAWA, Masato [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAZUMI, Kimikazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAMI, Akihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORIKAWA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIMURA, Kunihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YONEZAWA, Masato; (JP).
HAZUMI, Kimikazu; (JP).
TAKAMI, Akihiro; (JP).
MORIKAWA, Hiroaki; (JP).
NISHIMURA, Kunihiko; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1006020 (JP)
Priority Data:
Title (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光起電力装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A photovoltaic device manufacturing method by which a high-concentration diffusion layer formed in a portion joined to a light incident side electrode of a photovoltaic device can be formed by a simple process without adding many manufacturing steps. The method comprises a step of forming a p-type silicon substrate (101) and a high-concentration n-type diffusion layer (102H) in which an n-type impurity is diffused at a first concentration over the entire surface on the light incident surface side, a step of forming an etching resistant film (103) on the high-concentration n-type diffusion layer (102H) and forming pores (104) at predetermined positions in a recessed portion forming region (105a) on the etching resistant film (103), a step of etching the silicon substrate (101) to form recessed portions such that the high-concentration n-type diffusion layer is not left in the recessed portion forming region (105a), a step of forming a low-concentration n-type diffusion layer (102L) in which the n-type impurity is diffused at a second concentration lower than the first concentration on a surface which forms the recessed portions, and a step of forming a grid electrode (111) in an electrode forming region (105b) on the light incident surface side of the silicon substrate (101).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif photovoltaïque par lequel une couche de diffusion à forte concentration, formée dans une partie reliée à une électrode du côté recevant la lumière d'un dispositif photovoltaïque, peut être formée grâce à un processus simple ne nécessitant pas d’ajouter de nombreuses étapes de fabrication. Le procédé comprend : une étape consistant à former un substrat de silicium de type p (101) et une couche de diffusion à forte concentration de type n (102H) dans laquelle une impureté de type n est diffusée à une première concentration sur la surface entière du côté de la surface recevant lumière, une étape consistant à former un film (103) résistant à la gravure sur la couche de diffusion à forte concentration de type n (102H) et formant des pores (104) à des positions prédéfinies dans une région de formation de partie renfoncée (105a) sur le film résistant à la gravure (103), une étape consistant à graver le substrat de silicium (101) afin de former des parties renfoncées de telle sorte que la couche de diffusion à forte concentration de type n ne soit pas laissée dans la région de formation de partie renfoncée (105a), une étape consistant à former une couche de diffusion à faible concentration de type n (102L) dans laquelle l'impureté de type n est diffusée à une seconde concentration inférieure à la première concentration sur une surface qui forme les parties renfoncées, ainsi qu'une étape consistant à former une électrode à grille (111) dans une région de formation d’électrode (105b) sur le côté de surface recevant la lumière du substrat de silicium (101).
(JA) 光起電力装置の光入射側電極と接合する部分に形成する高濃度拡散層の形成を、製造工程を大量に追加せず、簡素な工程で行うことができる光起電力装置の製造方法を得ること。P型シリコン基板101と、光の入射面側の全面にN型の不純物が第1の濃度で拡散された高濃度N型拡散層102Hを形成する工程と、高濃度N型拡散層102H上に耐エッチング膜103を形成し、耐エッチング膜103上の凹部形成領域105a内の所定の位置に微細孔104を形成する工程と、微細孔104の形成位置を中心に、凹部形成領域105a内で高濃度N型拡散層が残存しないようにシリコン基板101をエッチングして凹部を形成する工程と、凹部を形成する面に、第1の濃度よりも低い第2の濃度でN型の不純物が拡散された低濃度N型拡散層102Lを形成する工程と、シリコン基板101の光の入射面側の電極形成領域105bにグリッド電極111を形成する工程と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)