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1. (WO2009133511) BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/133511    International Application No.:    PCT/IB2009/051697
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 24.04.2009
IPC:
H03H 9/02 (2006.01), H03H 9/17 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
JANSMAN, Andreas, B., M. [NL/NL]; (GB) (For US Only).
STRIJBOS, Rensinus, C. [NL/NL]; (GB) (For US Only).
SPAAN, Erik [NL/NL]; (GB) (For US Only).
LOBEEK, Jan-Willem [NL/NL]; (GB) (For US Only)
Inventors: JANSMAN, Andreas, B., M.; (GB).
STRIJBOS, Rensinus, C.; (GB).
SPAAN, Erik; (GB).
LOBEEK, Jan-Willem; (GB)
Agent: WILLIAMSON, Paul, L.; (GB)
Priority Data:
08103774.9 29.04.2008 EP
Title (EN) BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR
(FR) RÉSONATEUR À ONDE ACOUSTIQUE EN VOLUME
Abstract: front page image
(EN)A resonator comprises a bottom electrode layer (12), a top electrode layer (10) which defines a resonator body; and a piezoelectric layer (14) sandwiched between the top and bottom electrode layers. An external region (152) is provided around the outside of the periphery of the resonator body. The cutoff frequency of a first resonance mode of the external region (152) is matched to the cutoff frequency of a second, different, resonance mode of the resonator body. The invention provides a deliberate change (typically increase) in the cutoff frequency the resonance modes in the external region, so that one of the modes has a cutoff frequency close to the cutoff frequency of the fundamental mode of the resonator body.
(FR)L’invention concerne un résonateur qui comprend une couche d’électrode inférieure (12), une couche d’électrode supérieure (10) qui définit un corps de résonateur et une couche piézoélectrique (14) prise en sandwich entre les couches d’électrode supérieure et inférieure. Une région externe (152) est réalisée autour de l’extérieur de la périphérie du corps de résonateur. La fréquence de coupure d’un premier mode de résonance de la région externe (152) est accordée à la fréquence de coupure d’un deuxième mode de résonance différent du corps de résonateur. L’invention réalise une modification délibérée (généralement une augmentation) de la fréquence de coupure des modes de résonance de la région externe, de sorte que l’un des modes présente une fréquence de coupure proche de la fréquence de coupure du mode fondamental du corps de résonateur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)