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1. (WO2009133076) SPUTTER TARGET
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/133076    International Application No.:    PCT/EP2009/055075
Publication Date: 05.11.2009 International Filing Date: 27.04.2009
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/00 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE [US/US]; 3050 Bowers Avenue 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
MUELLER, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SEVERIN, Daniel [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KREß, Markus [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MUELLER, Joachim; (DE).
SEVERIN, Daniel; (DE).
KREß, Markus; (DE)
Agent: LERMER, Christoph; (DE)
Priority Data:
08155495.8 30.04.2008 EP
12/112,692 30.04.2008 US
Title (EN) SPUTTER TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION, PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UNE COUCHE, EN PARTICULIER D'UNE COUCHE DE TCO (OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT) ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UNE PHOTOPILE À COUCHE MINCE
Abstract: front page image
(EN)In the present invention a sub-stoichiometric ceramic ZnOx: Al target, with 0.3 < x < 1, is used for depositing a ZnO: Al layer in a reactive sputtering process. The process is carried out in an Ar/O2 atmosphere. The diagram depicts the deposition rate R depending on the oxygen flow in a sputtering process according to the present invention compared with a conventional sputter process using a stoichiometric ZnO target. The upper line x < 1 indicates the deposition rate R when using the inventive target and process. The lower line x = 1, for comparison only, indicates the deposition rate R when using a stoichiometric ceramic ZnO target. It can be seen from the diagram that both processes are quite stable as there are no steep slopes when varying the oxygen flow. However, the line x
(FR)Selon la présente invention, une cible de ZnOx:Al céramique sous-stœchiométrique, avec 0,3 < x < 1, est utilisée pour le dépôt d'une couche de ZnO:Al dans un procédé de pulvérisation réactive. Le procédé est effectué dans une atmosphère d'Ar/O2. Le schéma représente la vitesse de dépôt R en fonction du débit d'oxygène dans un procédé de pulvérisation selon la présente invention, par comparaison avec un procédé de pulvérisation classique utilisant une cible de ZnO stœchiométrique. La ligne supérieure x < 1 représente la vitesse de dépôt R lorsqu'on utilise la cible et le procédé de l'invention. La ligne inférieure x = 1, pour comparaison seulement, représente la vitesse de dépôt R lorsqu'on utilise une cible de ZnO céramique stœchiométrique. On peut constater d'après le schéma que les deux procédés sont assez stables dans la mesure où il n'y a pas de pentes raides lorsqu'on fait varier le débit d'oxygène. Cependant, la ligne x < l est au-dessus de la ligne x = l. Par conséquent, on peut choisir un point de travail P qui a une vitesse de dépôt R supérieure à celle d'un point de travail P' correspondant d'une cible céramique correspondante. Une vitesse de dépôt supérieure, cependant, implique un plus faible bombardement de la couche déposée par des ions de l'oxygène. Par conséquent, la qualité de la couche de ZnO:Al est améliorée en ce qui concerne la conductivité et l'aptitude à la gravure de la couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)