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1. (WO2009132011) BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/132011    International Application No.:    PCT/US2009/041265
Publication Date: 29.10.2009 International Filing Date: 21.04.2009
IPC:
H03H 9/17 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01), H03H 9/15 (2006.01)
Applicants: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD. [SG/SG]; No. 1 Yishun Avenue 7 Singapore 768923 (SG) (For All Designated States Except US).
BARBER, Bradley, P. [US/US]; (US) (For US Only).
BI, Frank [US/US]; (US) (For US Only).
CARPENTER, Craig, E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BARBER, Bradley, P.; (US).
BI, Frank; (US).
CARPENTER, Craig, E.; (US)
Agent: GATES, Sarah, M.; (US)
Priority Data:
12/150,240 24.04.2008 US
12/150,244 24.04.2008 US
Title (EN) BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR
(FR) RÉSONATEUR D'ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME
Abstract: front page image
(EN)According to an exemplary embodiment, a bulk acoustic wave (BAW) resonator includes a piezoelectric layer situated between upper and lower electrodes, where each of the upper and lower electrodes are a high density metal. In one example, the BAW resonator further includes a controlled thickness region including a material segment that is one of a low density metal segment and a dielectric segment, where the material segment is situated adjacent to the piezoelectric layer, and where the controlled thickness region has controlled electromechanical coupling. The controlled thickness region can provide reduced electromechanical coupling into lateral modes. In another example, the piezoelectric layer has a disrupted texture region, where the disrupted texture region is situated in the controlled thickness region of the BAW resonator. The disrupted texture region can be situated at an edge of the BAW resonator and can extend along a perimeter of the BAW resonator.
(FR)La présente invention concerne, dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, un résonateur d'ondes acoustiques de volume (BAW) qui comprend une couche piézoélectrique située entre des électrodes supérieure et inférieure, chacune des électrodes supérieure et inférieure étant un métal de densité élevée. Dans un exemple, le résonateur BAW comprend en outre une zone à épaisseur régulée comprenant un segment de matériau qui est un segment de métal de faible densité ou un segment de diélectrique. Le segment de matériau est adjacent à la couche piézoélectrique et la zone à épaisseur régulée peut offrir un couplage électromécanique réduit dans des modes latéraux. Dans un autre exemple, la couche piézoélectrique a une zone de texture interrompue, la zone de texture interrompue étant située dans la zone à épaisseur régulée du résonateur BAW. La zone de texture interrompue peut être située au niveau d'un bord du résonateur BAW et peut s'étendre le long d'un périmètre du résonateur BAW.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)