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1. (WO2009131902) YTTRIUM AND TITANIUM HIGH-K DIELECTRIC FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/131902    International Application No.:    PCT/US2009/040902
Publication Date: 29.10.2009 International Filing Date: 17.04.2009
IPC:
H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: INTERMOLECULAR, INC. [US/US]; 2865 Zanker Road San Jose, CA 95134 (US) (For All Designated States Except US).
ELPIDA MEMORY, INC. [JP/JP]; 3-1-35 Minamihashimoto, Sagamihara Kanagawa , 229-1197 (JP) (For All Designated States Except US).
HASHIM, Imran [US/US]; (US) (For US Only).
DE, Indranil [US/US]; (US) (For US Only).
CHIANG, Tony [US/US]; (US) (For US Only).
HAYWOOD, Edward [US/US]; (US) (For US Only).
CHEN, Hanhong [CN/US]; (US) (For US Only).
FUCHIGAMI, Nobi [JP/US]; (US) (For US Only).
KUMAR, Pragati [US/US]; (US) (For US Only).
MALHOTRA, Sandra [US/US]; (US) (For US Only).
SHANKER, Sunil [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: HASHIM, Imran; (US).
DE, Indranil; (US).
CHIANG, Tony; (US).
HAYWOOD, Edward; (US).
CHEN, Hanhong; (US).
FUCHIGAMI, Nobi; (US).
KUMAR, Pragati; (US).
MALHOTRA, Sandra; (US).
SHANKER, Sunil; (US)
Agent: SCHUYLER, Marc, P.; (US)
Priority Data:
61/047,368 23.04.2008 US
Title (EN) YTTRIUM AND TITANIUM HIGH-K DIELECTRIC FILMS
(FR) COUCHES MINCES DIÉLECTRIQUES À HAUTE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE (HIGH-K) EN YTTRIUM ET TITANE
Abstract: front page image
(EN)This disclosure provides (a) methods of making an oxide layer (e.g., a dielectric layer) based on yttrium and titanium, to have a high dielectric constant and low leakage characteristic and (b) related devices and structures. An oxide layer having both yttrium and titanium may be fabricated either as an amorphous oxide or as an alternating series of monolayers. In several embodiments, the oxide is characterized by a yttrium contribution to total metal that is specifically controlled. The oxide layer can be produced as the result of a reactive process, if desired, via either a PVD process or, alternatively, via an atomic layer deposition process that employs specific precursor materials to allow for a common process temperature window for both titanium and yttrium reactions.
(FR)Cette invention concerne (a) des procédés de fabrication d’une couche d’oxyde (par exemple, une couche diélectrique) à base d’yttrium et de titane, permettant l’obtention d’une haute constante diélectrique et d’un faible indice de fuite. Cette invention concerne également (b) des dispositifs et structures apparentés. Une couche d’oxyde comprenant à la fois de l’yttrium et du titane peut être fabriquée soit en forme d’oxyde amorphe, soit en forme de série alternée de monocouches. Dans plusieurs modes de réalisation, l’oxyde est caractérisé par une teneur d’yttrium spécifiquement contrôlée par rapport à la quantité totale de métal. La couche d’oxyde peut être produite par un procédé à réaction, si souhaité, par un procédé de dépôt physique en phase gazeuse ou, en variante, par procédé de dépôt par couche atomique qui utilise des matériaux précurseurs spécifiques pour permettre l’obtention d’une plage de températures de processus commun pour les réactions de l’yttrium et du titane.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)