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1. (WO2009131035) THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2009/131035 International Application No.: PCT/JP2009/057492
Publication Date: 29.10.2009 International Filing Date: 14.04.2009
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01)
Applicants: TAKASAWA, Satoru[JP/JP]; JP (UsOnly)
ISHIBASHI, Satoru[JP/JP]; JP (UsOnly)
MASUDA, Tadashi[JP/JP]; JP (UsOnly)
ULVAC, INC.[JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
Inventors: TAKASAWA, Satoru; JP
ISHIBASHI, Satoru; JP
MASUDA, Tadashi; JP
Agent: ISHIJIMA, Shigeo; Toranomonkougyou Bldg., 3F, 1-2-18, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001, JP
Priority Data:
2008-11599625.04.2008JP
Title (EN) THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ET TRANSISTOR EN COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ
Abstract: front page image
(EN) Provided is a metal wiring film that does not peel-off even if exposed to hydrogen plasma. The metal wiring film (20a) is comprised of a cohesive layer (51) in which aluminum is added to copper, and a low-resistance metal layer (52) comprised of pure copper and disposed on the cohesive layer (51). A copper alloy containing aluminum and oxygen is included in the cohesive layer (51), and the source electrode film (27) and the drain electrode film (28) are both adhered to the silicon layer in the configuration, and thereby copper is not precipitated on the interface between the cohesive layer (51) and the silicon layer, and no peeling occurs between the cohesive layer (51) and the silicon layer, even if exposed to hydrogen plasma. Therefore, as the amount of aluminum increases, the widths of the cohesive layer (51) and the metal low-resistance layer (52) differ significantly after etching, and the maximum amount that can be added while still allowing etching is the upper limit.
(FR) La présente invention concerne un film de câblage métallique qui ne se décolle pas même lors de l’exposition à un plasma d’hydrogène. Le film de câblage métallique (20a) est constitué d’une couche cohésive (51) dans laquelle de l’aluminium est ajouté à du cuivre et d’une couche métallique de faible résistance (52) constituée de cuivre pur et disposée sur la couche cohésive (51). Un alliage du cuivre contenant de l’aluminium et de l’oxygène est inclus dans la couche cohésive (51) et le film d’électrode source (27) et le film d’électrode drain (28) sont tous deux collés à la couche de silicium dans la configuration. De cette manière le cuivre n’est pas précipité sur l’interface entre la couche cohésive (51) et la couche de silicium et il n’y pas de décollement entre la couche cohésive (51) et la couche de silicium, même lors de l’exposition à un plasma d’hydrogène. Par conséquent, étant donné que la quantité d’aluminium augmente, les largeurs de la couche cohésive (51) et de la couche métallique de faible résistance (52) diffèrent significativement après gravure et la quantité maximale qui peut être ajoutée, tout en permettant encore la gravure, est la limite supérieure.
(JA)  水素プラズマに曝されても剥離しない金属配線膜を提供する。銅にAlが添加された密着層51と、密着層51上に配置され、純銅から成る金属低抵抗層52とで金属配線膜20aを構成させる。密着層51には、Alと酸素とを含有する銅合金を含有させ、シリコン層と密着するソース電極膜27とドレイン電極膜28を構成させると、水素プラズマに曝されても、密着層51とシリコン層の界面に銅が析出せず、密着層51とシリコン層の間で剥離しない。Alが多くなると、エッチング後に密着層51と金属低抵抗層52の幅が大きく異なってしまうので、エッチングできる最大の添加量が上限となる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)