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1. (WO2009129858) HIGH ASPECT RATIO MICROSTRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/129858    International Application No.:    PCT/EP2008/055024
Publication Date: 29.10.2009 International Filing Date: 24.04.2008
IPC:
G03F 7/00 (2006.01)
Applicants: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 20555 S.H. 249, Houston, Texas 77070 (US) (For All Designated States Except US).
RUDIN, John Christopher [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: RUDIN, John Christopher; (GB)
Agent: MARSH, David; Filton Road, Stoke Gifford, Bristol BS34 8QZ (GB)
Priority Data:
Title (EN) HIGH ASPECT RATIO MICROSTRUCTURES
(FR) MICROSTRUCTURES À RAPPORT DE FORME ÉLEVÉ
Abstract: front page image
(EN)A method for forming a high aspect ratio microstructure (20) comprises: a) forming on a conductive surface (4) of a carrier substrate (3) one or more dielectric structures (6) to create a mandrel (7); b) forming masking material (8) by electrodepositing on exposed areas of the conductive surface of the mandrel one or more metal structures; c) forming a composite structure (18) by taking a photopolymer structure comprising a substrate (12) having thereon an electromagnetic radiation-sensitive photopolymer of either a positive tone or a negative tone (14), the photopolymer having a thickness substantially equal to the desired height of the microstructure to be formed, and adhering the photopolymer to the masking material (8), wherein the masking material is opaque to the electromagnetic radiation; d) removing the carrier (3); e) exposing the photopolymer (14) to electromagnetic radiation so as to irradiate regions of the photopolymer corresponding to the one or more dielectric structures (6) and substantially not to irradiate regions of the photopolymer corresponding to the one or more metal structures (8); and f) developing to selectively remove those portions of the photopolymer exposed to the radiation if the photopolymer has a positive tone; or to selectively remove the unexposed portions of the photopolymer if the photopolymer has a negative tone, thereby forming a high aspect ratio microstructure (20). The invention also provides a composite structure (18) for use in the method.
(FR)Un procédé destiné à former une microstructure à rapport de forme élevé (20) consiste à : a) former sur une surface conductrice (4) d’un substrat porteur (3) une ou plusieurs structures diélectriques (6) pour créer un mandrin (7); b) former un matériau de masquage (8) par le dépôt électrolytique, sur les zones exposées de la surface conductrice du mandrin, d’une ou plusieurs structures métalliques; c) former une structure composite (18) en prenant une structure photopolymère comprenant un substrat (12) ayant sur celui-ci un photopolymère sensible aux rayonnements électromagnétiques d’un ton positif ou d’un ton négatif (14), le photopolymère ayant une épaisseur sensiblement égale à la hauteur souhaitée de la microstructure devant être formée, et en collant le photopolymère au matériau de masquage (8), le matériau de masquage étant opaque au rayonnement électromagnétique; d) retirer le support (3); e) exposer le photopolymère (14) au rayonnement électromagnétique afin d’irradier les régions du photopolymère correspondant à la ou aux structures diélectriques (6) et de ne pratiquement pas irradier les régions du photopolymère correspondant à la ou aux structures métalliques (8); et f) assurer le développement pour retirer sélectivement les parties du photopolymère qui sont exposées à l’irradiation si le photopolymère a un ton positif; ou pour retirer sélectivement les parties non exposées du photopolymère si le photopolymère a un ton négatif, d’où la formation d’une microstructure à rapport de forme élevé (20). L’invention concerne également une structure composite (18) destinée à être utilisée dans le procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)