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1. (WO2009128008) HIGH QUANTUM EFFICIENCY LIGHTING DEVICE WITH LIGHT INFLUENCING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/128008    International Application No.:    PCT/IB2009/051524
Publication Date: 22.10.2009 International Filing Date: 10.04.2009
IPC:
G02B 26/08 (2006.01), G02B 26/02 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
HIKMET, Rifat, A., M. [CY/NL]; (NL) (For US Only).
VAN BOMMEL, Ties [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: HIKMET, Rifat, A., M.; (NL).
VAN BOMMEL, Ties; (NL)
Agent: BEKKERS, Joost, J., J.; (NL).
DAMEN, Daniel, M.; (NL)
Priority Data:
08154737.4 17.04.2008 EP
Title (EN) HIGH QUANTUM EFFICIENCY LIGHTING DEVICE WITH LIGHT INFLUENCING ELEMENT
(FR) DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE À RENDEMENT QUANTIQUE ÉLEVÉ COMPORTANT UN ÉLÉMENT D'INFLUENCE DE LUMIÈRE
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a high quantum efficiency lighting device comprising a solid state light source (54) and at least one light influencing element (10), being adapted to influence light emitted from solid state light source. The light influencing element (10) comprises a first electrode layer (11), and a second electrode layer (13), wherein the second electrode layer (13) is biased to remain in a rolled-up state, and adapted to be unrolled into an unrolled state in response to an electric potential applied between the first and second electrode layers, said second electrode layer in its unrolled state, extending across said optical light path, and being adapted to influence light emitted from the solid state light source (54).
(FR)La présente invention porte sur un dispositif d'éclairage à rendement quantique élevé comprenant une source de lumière à semi-conducteur (54) et au moins un élément d'influence de lumière (10), conçu pour influencer la lumière émise par la source de lumière à semi-conducteur. L'élément d'influence de lumière (10) comprend une première couche d'électrode (11) et une seconde couche d'électrode (13). La seconde couche d'électrode (13) est sollicitée pour rester dans un état enroulé et apte à être déroulée dans un état déroulé en réponse à un potentiel électrique appliqué entre les première et seconde couches d'électrode. Dans son état déroulé, la seconde couche d'électrode s'étend en travers du trajet de lumière optique et est apte à influencer la lumière émise par la source de lumière à semi-conducteur (54).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)