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1. (WO2009126874) NON-VOLATILE MULTI-LEVEL RE-WRITABLE MEMORY CELL INCORPORATING A DIODE IN SERIES WITH MULTIPLE RESISTORS AND METHOD FOR WRITING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/126874    International Application No.:    PCT/US2009/040187
Publication Date: 15.10.2009 International Filing Date: 10.04.2009
IPC:
G11C 16/04 (2006.01), G11C 11/36 (2006.01), G11C 16/00 (2006.01)
Applicants: SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Blvd. Milpitas, CA 95035 (US) (For All Designated States Except US).
SCHEUERLEIN, Roy, E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SCHEUERLEIN, Roy, E.; (US)
Agent: GRAHAM, Andrew, C.; (US).
ZAGORIN, Mark; (US).
O'BRIEN, David, W.; (US).
CAVE, Nicole, Teitler; (US)
Priority Data:
61/044,187 11.04.2008 US
12/242,417 30.09.2008 US
Title (EN) NON-VOLATILE MULTI-LEVEL RE-WRITABLE MEMORY CELL INCORPORATING A DIODE IN SERIES WITH MULTIPLE RESISTORS AND METHOD FOR WRITING SAME
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE RÉINSCRIPTIBLE MULTINIVEAU NON-VOLATILE INTÉGRANT UNE DIODE EN SÉRIE AVEC DE MULTIPLES RÉSISTANCES, ET PROCÉDÉ POUR ÉCRIRE SUR CELLE-CI
Abstract: front page image
(EN)A very dense cross-point memory array of multi-level read/write two-terminal memory cells, and methods for its programming, are described. Multiple states are achieved using two or more films that each have bi-stable resistivity states, rather than "tuning" the resistance of a single resistive element. An exemplary memory cell includes a vertical pillar diode in series with two different bi-stable resistance films. Each bi-stable resistance film has both a high resistance and low resistance state that can be switched with appropriate application of a suitable bias voltage and current. Such a cross-point array is adaptable for two-dimensional rewritable memory arrays, and also particularly well-suited for three-dimensional rewritable (3D R/W) memory arrays.
(FR)L'invention concerne une matrice mémoire à point de connexion très dense constituée de cellules de mémoire à deux bornes de lecture/écriture multiniveau, et des procédés pour sa programmation. De multiples états sont atteints en utilisant deux films, ou plus, qui ont chacun des états bistables de résistivité, et non en "réglant" la résistance d'un élément résistif unique. Une cellule de mémoire donnée à titre d'exemple comprend une diode en série sous la forme d'un pilier vertical avec deux films de résistance bistables différents. Chaque film de résistance bistable a à la fois un état de résistance élevée et un état de résistance faible qui peuvent être commutés avec une application appropriée d'une tension de polarisation et d'un courant appropriés. Une telle matrice à point de connexion est adaptée à des matrices mémoire réinscriptibles bidimensionnelles, et également particulièrement bien adaptée à des matrices mémoire réinscriptibles tridimensionnelles (3D R/W).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)