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1. (WO2009126492) SIDEWALL STRUCTURED SWITCHABLE RESISTOR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/126492    International Application No.:    PCT/US2009/039126
Publication Date: 15.10.2009 International Filing Date: 01.04.2009
IPC:
H01L 27/24 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard Milpitas, CA 95035-7932 (US) (For All Designated States Except US).
SCHEUERLEIN, Roy, E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SCHEUERLEIN, Roy, E.; (US)
Agent: RADOMSKY, Leon; The Marbury Law Group, PLLC 11800 Sunrise Valley Drive, Suite 1000 Reston, VA 20191 (US)
Priority Data:
12/216,110 30.06.2008 US
61/071,093 11.04.2008 US
Title (EN) SIDEWALL STRUCTURED SWITCHABLE RESISTOR CELL
(FR) CELLULE DE RÉSISTANCE COMMUTABLE STRUCTURÉE À PAROI LATÉRALE
Abstract: front page image
(EN)A method of making a memory device includes forming a first conductive electrode (28), forming an insulating structure (13) over the first conductive electrode, forming a resistivity switching element (14) on a sidewall of the insulating structure, forming a second conductive electrode (26) over the resistivity switching element, and forming a steering element (22) in series with the resistivity switching element between the first conductive electrode and the second conductive electrode, wherein a height of the resistivity switching element in a first direction from the first conductive electrode to the second conductive electrode is greater than a thickness of the resistivity switching element in second direction perpendicular to the first direction.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif mémoire qui comprend la formation d'une première électrode conductrice (28), la formation d'une structure isolante (13) sur la première électrode conductrice, la formation d'un élément de commutation de résistivité (14) sur une paroi latérale de la structure isolante, la formation d'une seconde électrode conductrice (26) sur l'élément de commutation de résistivité, et la formation d'un élément d'orientation (22) en série avec l'élément de commutation de résistivité entre la première électrode conductrice et la seconde électrode conductrice, une hauteur de l'élément de commutation de résistivité dans une première direction de la première électrode conductrice à la seconde électrode conductrice étant supérieure à une épaisseur de l'élément de commutation de résistivité dans une seconde direction perpendiculaire à la première direction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)