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1. (WO2009126412) METHOD OF CREATING ALIGNMENT/CENTERING GUIDES FOR SMALL DIAMETER, HIGH DENSITY THROUGH-WAFER VIA DIE STACKING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/126412    International Application No.:    PCT/US2009/037418
Publication Date: 15.10.2009 International Filing Date: 17.03.2009
IPC:
H01L 23/544 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 21/98 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, ID 83707-0006 (US) (For All Designated States Except US).
PRATT, Dave [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: PRATT, Dave; (US)
Agent: MANWARE, Robert, A; (US)
Priority Data:
12/101,776 11.04.2008 US
Title (EN) METHOD OF CREATING ALIGNMENT/CENTERING GUIDES FOR SMALL DIAMETER, HIGH DENSITY THROUGH-WAFER VIA DIE STACKING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GUIDAGES D’ALIGNEMENT/CENTRAGE POUR EMPILEMENT DE DÉS À TROUS DE PASSAGE D’INTERCONNEXION DE TRANCHE DE FAIBLE DIAMÈTRE ET HAUTE DENSITÉ
Abstract: front page image
(EN)A method is provided for forming a die stack. The method includes forming a plurality of through-wafer vias (105) and a first plurality of alignment features (104) in a first die. A second plurality of alignment features (116) is formed in a second die, and the first die is stacked on the second die such that the first plurality of alignment features engage the second plurality of alignment features. A method of manufacturing a die stack is also provided that includes forming a plurality of through- wafer vias on a first die, forming a plurality of recesses (104) on a first die, and forming a plurality of protrusions (116) on a second die. A die stack and a system are also provided.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour former un empilement de dés. Le procédé consiste à former une pluralité de trous débouchants (105) d’interconnexion de tranche et une première pluralité de caractéristiques d’alignement (104) dans un premier dé. Une seconde pluralité de caractéristiques d’alignement est formée dans un second dé, et le premier dé est empilé sur le second dé de sorte que la première pluralité de caractéristiques d’alignement entre en prise avec la seconde pluralité de caractéristiques d’alignement. Un procédé de fabrication d’un empilement de dés est également prévu qui consiste à former une pluralité de trous débouchants d’interconnexion de tranche sur un premier dé, à former une pluralité d’évidements (104) sur un premier dé, et à former une pluralité de protubérances (116) sur un second dé. La présente invention concerne également un empilement de dés et un système.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)