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1. (WO2009125777) RESISTANCE CHANGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/125777    International Application No.:    PCT/JP2009/057149
Publication Date: 15.10.2009 International Filing Date: 07.04.2009
IPC:
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAHASHI, Kensuke [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKAHASHI, Kensuke; (JP)
Agent: TANAI, Sumio; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo, 1006620 (JP)
Priority Data:
2008-099565 07.04.2008 JP
Title (EN) RESISTANCE CHANGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) ELÉMENT DE CHANGEMENT DE RÉSISTANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 抵抗変化素子及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a resistance change element that is provided with a lower electrode formed upon a semiconductor or an insulator substrate, a resistance change material layer formed upon the lower electrode and composed mainly of transition metal oxides, and an upper electrode formed upon the resistance change material layer. The resistance change material layer is deficient in nickel, and is thereby a laminated structure having nickel oxide with a higher oxygen concentration than a stoichiometric composition, and with differing compositional ratios.
(FR)La présente invention concerne un élément de changement de résistance qui est pourvu d’une électrode inférieure formée sur un semi-conducteur ou un substrat isolant, une couche de matériau de changement de résistance qui est formée sur l’électrode inférieure et qui se compose essentiellement d’oxydes de métal de transition, et une électrode supérieure formée sur la couche de matériau de changement de résistance. La couche de matériau de changement de résistance présente une déficience de nickel, et est ainsi une structure stratifiée qui comporte de l’oxyde de nickel avec une concentration en oxygène plus élevée qu’une composition stœchiométrique, et avec des rapports compositionnels différents.
(JA) 抵抗変化素子は、半導体あるいは絶縁体基板上に形成した下部電極と、下部電極上に形成された遷移金属酸化物を主成分とする抵抗変化材料層と、抵抗変化材料層の上に形成される上部電極とを備え、抵抗変化材料層は、ニッケル欠損を含有することで、化学量論組成より酸素濃度が高いニッケル酸化物であり、組成比の異なる積層構造である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)