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1. (WO2009125584) RADIATION DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/125584    International Application No.:    PCT/JP2009/001611
Publication Date: 15.10.2009 International Filing Date: 07.04.2009
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01)
Applicants: SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto, 6048511 (JP) (For All Designated States Except US).
SATO, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SATO, Kenji; (JP)
Agent: SUGITANI, Tsutomu; Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Priority Data:
PCT/JP2008/056945 08.04.2008 JP
Title (EN) RADIATION DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT
(JA) 放射線検出器
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a radiation detector wherein an insulating non-amine barrier layer is provided between a curable synthetic resin film and exposed surfaces of a radiation-sensitive semiconductor layer, a carrier-selective high-resistance film and a common electrode. The chemical reaction between the semiconductor layer and the curable synthetic resin film can be further suppressed by the barrier layer, and increase of dark current flowing through the semiconductor layer can be prevented. Since no chemical reaction occurs between the barrier layer and the semiconductor layer, the semiconductor layer does not deteriorate. By providing the upper surface of the curable synthetic resin film with an auxiliary plate, there can be produced a radiation detector wherein no warping or cracks occur due to temperature changes.
(FR)La présente invention concerne un détecteur de rayonnement. Dans ledit détecteur, une couche barrière de type non-amine isolante est prévue entre un film de résine synthétique durcissable et des surfaces exposées d’une couche de semi-conducteur sensiblement au rayonnement, un film à haute résistance sélecteur de support et une électrode commune. La réaction chimique entre la couche de semi-conducteur et le film de résine synthétique durcissable peut en outre être supprimée par la couche barrière, et l’augmentation de courant d’obscurité qui passe à travers la couche de semi-conducteur peut être empêchée. Du fait qu’aucune réaction chimique ne se produit entre la couche barrière et la couche de semi-conducteur, la couche de semi-conducteur ne se détériore pas. En fournissant une plaque auxiliaire à la surface supérieure du film de résine synthétique durcissable, un détecteur de rayonnement peut être fabriqué dans lequel aucun gauchissement ni fissuration  ne se produit en raison des changements de température.
(JA) 本発明の放射線検出器には、放射線感応型の半導体層、キャリア選択性の高抵抗膜、および共通電極の露出面上と硬化性合成樹脂膜との間に、絶縁性の非アミン系のバリア層が備えられている。  このバリア層により、半導体層と硬化性合成樹脂膜との化学反応をさらに抑止することができ、半導体層を流れる暗電流の増加を防ぐことができる。また、バリア層と半導体層は化学反応を起こさないので半導体層を劣化させることもない。さらに、硬化性合成樹脂膜の上面に補助板を備えることで、温度変化による反りや亀裂を生じさせることのない放射線検出器を製造することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)