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1. (WO2009125312) ESD PROTECTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/125312    International Application No.:    PCT/IB2009/051342
Publication Date: 15.10.2009 International Filing Date: 31.03.2009
IPC:
H01L 27/02 (2006.01), H03K 19/003 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
DARTHENAY, Frederic [FR/FR]; (GB) (For US Only).
SMEDES, Taede [NL/NL]; (GB) (For US Only).
JACQUET, Sebastien [FR/FR]; (GB) (For US Only)
Inventors: DARTHENAY, Frederic; (GB).
SMEDES, Taede; (GB).
JACQUET, Sebastien; (GB)
Agent: WILLIAMSON, Paul, L.; (GB)
Priority Data:
08103462.1 09.04.2008 EP
Title (EN) ESD PROTECTION
(FR) PROTECTION CONTRE UNE DÉCHARGE ÉLECTROSTATIQUE
Abstract: front page image
(EN)An electrostatic discharge protection structure (200) for an integrated circuit, the electrostatic discharge protection structure (200) comprising: a first silicon controlled rectifier structure (211) having a first triggering voltage, the first rectifier structure (211) being directly connected to an input (250) of the electrostatic discharge protection structure (200); a second silicon controlled rectifier structure (222) having a second triggering voltage lower than the first triggering voltage, the second rectifier structure (222) being connected to the input (250) via a resistor (221); and a secondary over-voltage protection unit (231) connected to the input (250) via the resistor (221).
(FR)La présente invention concerne une structure de protection contre une décharge électrostatique (200) pour un circuit intégré, la structure de protection contre la décharge électrostatique (200) comprenant : une première structure de redresseur commandé au silicium (211) qui possède une première tension de déclenchement, la première structure de redresseur (211) étant directement connectée à une entrée (250) de la structure de protection contre la décharge électrostatique (200); une seconde structure de redresseur commandé au silicium (222) qui possède une seconde tension de déclenchement inférieure à la première tension de déclenchement, la seconde structure de redresseur (222) étant connectée à une entrée (250) par l’intermédiaire d’une résistance (221); et une unité de protection secondaire contre une surtension (231) connectée à l’entrée (250) par l’intermédiaire de la résistance (221).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)