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1. (WO2009124730) RESONANCE FILTER HAVING LOW LOSS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/124730    International Application No.:    PCT/EP2009/002575
Publication Date: 15.10.2009 International Filing Date: 07.04.2009
IPC:
H01P 7/06 (2006.01), H01P 11/00 (2006.01), H01P 1/208 (2006.01)
Applicants: EADS DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Willy-Messerschmitt-Strasse 85521 Ottobrunn (DE) (For All Designated States Except US).
GAUTIER, William [FR/DE]; (DE) (For US Only).
SCHÖNLINNER, Bernhardt [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GAUTIER, William; (DE).
SCHÖNLINNER, Bernhardt; (DE)
Agent: SCHÄFER, Matthias W.; Schwanseestraße 43 81549 München (DE)
Priority Data:
10 2008 017 967.1 08.04.2008 DE
Title (DE) RESONANZFILTER MIT GERINGEM VERLUST
(EN) RESONANCE FILTER HAVING LOW LOSS
(FR) FILTRE À RÉSONANCE À FAIBLES PERTES
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Resonanzfilter (1) aus Silizium zum Einsatz im Mikro- und Millimeterwellenbereich. Dementsprechend wird ein Resonanzfilter mit geringem Verlust und hohem Q-Faktor bereitgestellt, der aus zwei Schichten besteht, von denen eine erste Schicht ausschließlich Resonanzkavitäten und eine zweite Schicht ausschließlich Kopplungskavitäten trägt. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Filters bereitgestellt. Dieses ermöglicht die kostengünstige Herstellung des Resonanzfilters mittels KOH- oder TMAH-Ätztechnik.
(EN)The invention relates to a resonance filter (1) made of silicon for use in the micrometer and millimeter wave length range. Accordingly, a resonance filter having low loss and a high Q-factor is provided, comprising two layers. A first layer thereof carries only resonance cavities and a second layer carries only coupling cavities. Furthermore, a method for the production of the filter according to the invention is provided. This enables the cost-effective production of the resonance filter by means of KOH or TMAH etching technology.
(FR)L'invention concerne un filtre à résonance (1) en silicium destiné à être employé dans la gamme des ondes micrométriques et millimétriques. Le filtre à résonance selon l'invention présente de faibles pertes et un facteur de qualité élevé, et est composé de deux couches, la première couche contenant exclusivement des cavités de résonance et la deuxième couche contenant exclusivement des cavités de couplage. L'invention concerne également un procédé de fabrication du filtre selon l'invention. Ledit procédé permet une fabrication économique du filtre à résonance par décapage avec KOH ou TMAH.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)