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1. (WO2009124111) GLUCOSE SENSOR EMPLOYING SEMICONDUCTOR NANOELECTRONIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/124111    International Application No.:    PCT/US2009/039087
Publication Date: 08.10.2009 International Filing Date: 01.04.2009
IPC:
A61B 5/00 (2006.01)
Applicants: TRUSTEES OF BOSTON UNIVERSITY [US/US]; One Silber Way Boston, MA 02215 (US) (For All Designated States Except US).
MOHANTY, Pritiraj [IN/US]; (US) (For US Only).
ERRAMILLI, Shyamsunder [IN/US]; (US) (For US Only).
WANG, Xihua [CN/US]; (US) (For US Only).
CHEN, Yu [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MOHANTY, Pritiraj; (US).
ERRAMILLI, Shyamsunder; (US).
WANG, Xihua; (US).
CHEN, Yu; (US)
Agent: THOMPSON, James, F.; (US)
Priority Data:
61/072,716 01.04.2008 US
Title (EN) GLUCOSE SENSOR EMPLOYING SEMICONDUCTOR NANOELECTRONIC DEVICE
(FR) CAPTEUR DE GLUCOSE UTILISANT UN DISPOSITIF NANOÉLECTRIQUE À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A glucose sensor employs a programmable glucose sensor array of a relatively large number of nanoelectronic devices (e.g. semiconductor field-effect devices) having control surfaces functionalized with a glucose-reactive substance and generating sensing signals indicative of sensed glucose level of a bodily fluid. The devices are divided into sub-sets sequentially enabled over successive intervals to achieve overall sensor lifetime many times longer than the lifetime of any single device in operation.
(FR)La présente invention concerne un capteur de glucose utilisant un réseau de capteurs de glucose programmable d’un nombre relativement élevé de dispositifs nanoélectriques (par exemple, des dispositifs à semi-conducteurs à effet de champ) comprenant des surfaces de commande fonctionnalisées avec une substance réactive du glucose et générant des signaux de détection indiquant un niveau de glucose détecté d’un liquide organique. Les dispositifs sont divisés en sous-ensembles activés en séquence sur des intervalles successifs pour obtenir une durée de vie globale de capteur plusieurs fois supérieure à la durée de vie d’un unique dispositif en fonctionnement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)