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1. (WO2009123171) PHOTOMASK BLANK, PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK BLANK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/123171    International Application No.:    PCT/JP2009/056610
Publication Date: 08.10.2009 International Filing Date: 31.03.2009
IPC:
G03F 1/08 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo, 1618525 (JP) (For All Designated States Except US).
IWASHITA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHISHIDO, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOMINATO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASHIMOTO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IWASHITA, Hiroyuki; (JP).
SHISHIDO, Hiroaki; (JP).
KOMINATO, Atsushi; (JP).
HASHIMOTO, Masahiro; (JP)
Agent: KOBAYASHI, Hiroshi; ABE, IKUBO & KATAYAMA, Fukuoka Bldg. 9th Fl., 8-7, Yaesu 2-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1040028 (JP)
Priority Data:
61/041,188 31.03.2008 US
61/075,569 25.06.2008 US
Title (EN) PHOTOMASK BLANK, PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK BLANK
(FR) PLAQUE POUR PHOTOMASQUE, PHOTOMASQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUE POUR PHOTOMASQUE
(JA) フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a photomask blank used for fabricating a photomask to which an ArF excimer laser beam is applied. The photomask blank is characterized by comprising a light shielding film on a light transmissive substrate, wherein the light shielding film has a stacked structure in which a rear surface antireflection layer, a light shielding layer, and a front surface antireflection layer are stacked in sequence from the side close to the light transmissive substrate, the thickness of the entire light shielding film is 70 nm or less, the rear surface antireflection layer consists of a film containing metal and has a first etching rate, the front surface antireflection layer consists of a film containing metal and has a third etching rate, the light shielding layer consists of a film containing the same metal as the metal contained in the rear surface antireflection layer or the front surface antireflection layer and has a second etching rate slower than the first etching rate and the third etching rage, and the thickness of the light shielding layer is 45% or less of the thickness of the entire light shielding film.
(FR)L'invention concerne une plaque pour photomasque utilisée pour fabriquer un photomasque sur lequel est appliqué un faisceau laser à excimère. La plaque pour photomasque est caractérisée en ce qu'elle comprend un film écran sur un substrat de transmission de la lumière, le film écran présentant une structure empilée dans laquelle une couche antireflet de surface arrière, une couche écran et une couche antireflet de surface avant sont empilées en séquence depuis le côté proche du substrat de transmission de la lumière, l'épaisseur du film écran entier étant inférieure ou égale à 70 nm, la couche antireflet de surface arrière étant constituée d'un film contenant du métal et présentant une première vitesse d'attaque chimique, la couche antireflet de surface avant étant constituée d'un film contenant du métal et présentant une troisième vitesse d'attaque chimique, la couche écran étant constituée d'un film contenant le même métal que le métal contenu dans la couche antireflet de surface arrière ou la couche antireflet de surface avant et présentant une deuxième vitesse d'attaque chimique plus lente que la première vitesse d'attaque chimique et la troisième vitesse d'attaque chimique, et l'épaisseur de la couche écran étant inférieure ou égale à 45% de l'épaisseur du film écran entier.
(JA) ArFエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって;透光性基板上に遮光膜を有し;前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し;遮光膜全体の膜厚が70nm以下であり;裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第1のエッチング速度を有し;表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第3のエッチング速度を有し;遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第1のエッチング速度および第3のエッチング速度よりも遅い第2のエッチング速度を有し;遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の45%以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)