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1. (WO2009122869) Cu-Ni-Si-Co COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/122869    International Application No.:    PCT/JP2009/054563
Publication Date: 08.10.2009 International Filing Date: 10.03.2009
IPC:
C22C 9/06 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), C22C 9/01 (2006.01), C22C 9/02 (2006.01), C22C 9/04 (2006.01), C22C 9/10 (2006.01), H01B 1/02 (2006.01), H01B 5/02 (2006.01), C22F 1/00 (2006.01), C22F 1/08 (2006.01)
Applicants: Nippon Mining & Metals Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 1050001 (JP) (For All Designated States Except US).
KUWAGAKI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ERA, Naohiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KUWAGAKI, Hiroshi; (JP).
ERA, Naohiko; (JP)
Agent: AXIS Patent International; Yushi Kogyo Kaikan, 13-11, Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1030027 (JP)
Priority Data:
2008-116268 31.03.2008 JP
Title (EN) Cu-Ni-Si-Co COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) ALLIAGE À BASE DE CUIVRE Cu-Ni-Si-Co POUR MATÉRIAU ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 電子材料用Cu-Ni-Si-Co系銅合金及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A Cu-Ni-Si-Co alloy is provided which has mechanical and electrical properties which render the alloy suitable as a copper alloy for electronic materials. The alloy is even in mechanical properties. This copper alloy for electronic materials contains 1.0-2.5 mass% nickel, 0.5-2.5 mass% cobalt, and 0.3-1.2 mass% silicon, with the remainder being copper and incidental impurities. This alloy has an average crystal-grain diameter of 15-30 µm, and the average difference between a maximum crystal-grain diameter and a minimum crystal-grain diameter for examination fields of view each having an area of 0.5 mm2 is 10 µm or less.
(FR)La présente invention concerne un alliage Cu-Ni-Si-Co qui possède des propriétés mécaniques et électriques qui rendent l'alliage approprié à une utilisation comme alliage à base de cuivre pour matériaux électroniques. L'alliage possède des propriétés mécaniques homogènes. Cet alliage à base de cuivre destiné à être utilisé dans des matériaux électroniques contient 1,0 à 2,5 % en masse de nickel; 0,5 à 2,5 % en masse de cobalt, et 0,3 à 1,2 % en masse de silicium, le reste étant du cuivre et des impuretés secondaires. Cet alliage présente un diamètre de grain cristallin moyen de 15 à 30 µm, et la différence moyenne entre un diamètre de grain cristallin maximum et un diamètre de grain cristallin minimum destiné à des champs d'examen ayant chacun une surface de 0,5 mm2 est inférieure ou égale à 10 µm.
(JA) 電子材料用の銅合金として好適な機械的及び電気的特性を備え、機械的特性の均一なCu-Ni-Si-Co系合金を提供する。Ni:1.0~2.5質量%、Co:0.5~2.5質量%、Si:0.3~1.2質量%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる電子材料用銅合金であって、平均結晶粒径が15~30μmであり、観察視野0.5mm2毎の最大結晶粒径と最小結晶粒径の差の平均が10μm以下である電子材料用銅合金。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)