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1. (WO2009122867) SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOSITE CIRCUIT DEVICE, AND METHODS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND COMPOSITE CIRCUIT DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/122867    International Application No.:    PCT/JP2009/054544
Publication Date: 08.10.2009 International Filing Date: 10.03.2009
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
NANBA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAGO, Masamoto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NANBA, Kenji; (JP).
TAGO, Masamoto; (JP)
Agent: IEIRI, Takeshi; HIBIKI IP Law Firm, Asahi Bldg. 10th Floor, 3-33-8, Tsuruya-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210835 (JP)
Priority Data:
2008-090096 31.03.2008 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOSITE CIRCUIT DEVICE, AND METHODS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND COMPOSITE CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À CIRCUIT COMPOSITE, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET D'UN DISPOSITIF À CIRCUIT COMPOSITE
(JA) 半導体装置、複合回路装置及びそれらの製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device applicable to fine pitch with high reliability for flip-chip mounting is provided. A composite circuit device and methods for manufacturing the semiconductor device and the composite circuit device are also provided. The semiconductor device has a connecting section (10) where an electrode (3) on a semiconductor element (1) and an electrode (3) on a substrate (2) face each other and are electrically connected. Furthermore, the semiconductor device has a solid solution layer (10), which exists in the connecting section (10) and contains a connecting material which forms a solid solution with one or both of a constituent material of the electrode (3) on the semiconductor element (1) and a constituent material of the electrode (3) on the substrate (2).
(FR)Cette invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur applicable pour un pas fin avec une fiabilité élevée pour un montage puce retournée. Cette invention se rapporte également à un dispositif à circuit composite et à des procédés de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur et d'un dispositif à circuit composite. Le dispositif à semi-conducteur présente une section connexion (10) où une électrode (3) située sur un élément semi-conducteur (1) et une électrode (3) située sur un substrat (2), se font face et sont connectées de manière électrique. En outre, le dispositif à semi-conducteur présente une couche de solution solide (10), qui existe dans la section connexion (10) et contient un matériau de connexion qui forme une solution solide avec un matériau constitutif de l'électrode (3) située sur l'élément semi-conducteur (1) et/ou un matériau constitutif de l'électrode (3) située sur le substrat (2).
(JA) フリップチップ方式の実装形態において、微細ピッチに対応し且つ高い信頼性を得ることができる半導体装置、複合回路装置及びそれらの製造方法を提供する。本発明にかかる半導体装置は、半導体素子1上の電極3と基板2上の電極3とが相互に対向するように電気的に接合された接合部10を有する。さらに、本発明にかかる半導体装置は、接合部10に存在し、半導体素子1上の電極3の構成材料及び基板2上の電極3の構成材料の一方又は両方と固溶する接合材料を含む固溶体層10とを有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)