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1. (WO2009122601) NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/122601    International Application No.:    PCT/JP2008/065590
Publication Date: 08.10.2009 International Filing Date: 29.08.2008
IPC:
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (For All Designated States Except US).
FUKUMIZU, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUKUMIZU, Hiroyuki; (JP)
Agent: HYUGAJI, Masahiko; Kannai ST Bldg., 4-1, Onoe-cho 1-chome, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, 2310015 (JP)
Priority Data:
2008-094372 31.03.2008 JP
Title (EN) NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 不揮発性記憶装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A nonvolatile memory device is characterized by comprising first electrode extending in a first direction, a first interelectrode insulating layer provided between the first electrodes, second electrodes extending in a second direction three-dimensionally crossing the first direction and provided opposite to the first electrodes, a second interelectrode insulating layer provided between the second electrodes, a memory section provided between the first electrodes and the second electrodes, and conductive first projecting portions provided at least either between the first electrodes and the first interelectrode insulating layer, and the memory section or between the second electrodes and the second interelectrode insulating layer, and the memory section.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de mémoire non volatile caractérisé par le fait qu'il comprend des premières électrodes s'étendant dans une première direction, une première couche d'isolation inter-électrodes installée entre les premières électrodes, des secondes électrodes s'étendant dans une seconde direction croisant en trois dimensions la première direction et installées en regard des premières électrodes, une seconde couche d'isolation inter-électrodes installée entre les secondes électrodes, une section de mémoire formée entre les premières électrodes et les secondes électrodes, et des premières parties saillantes conductrices formées au moins soit entre les premières électrodes et la première couche d'isolation inter-électrodes, et la section de mémoire, soit entre les secondes électrodes et la seconde couche d'isolation inter-électrodes, et la section de mémoire.
(JA) 第1の方向に延在する複数の第1電極と、前記複数の第1電極の間に設けられた第1電極間絶縁層と、前記第1の方向と3次元的に交差する第2の方向に延在し、前記複数の第1電極に対向して設けられた複数の第2電極と、前記複数の第2電極の間に設けられた第2電極間絶縁層と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた記憶部と、前記第1電極及び前記第1電極間絶縁層と、前記記憶部と、の間、及び、前記第2電極及び前記第2電極間絶縁層と、前記記憶部と、の間、の少なくともいずれかに設けられた導電性の第1の凸部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)