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Pub. No.:    WO/2009/122571    International Application No.:    PCT/JP2008/056498
Publication Date: 08.10.2009 International Filing Date: 01.04.2008
G11B 9/04 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAI, Tsukasa [JP/JP]; (For US Only).
KAMATA, Chikayoshi [JP/JP]; (For US Only).
TSUKAMOTO, Takayuki [JP/JP]; (For US Only).
AOKI, Shinya [JP/JP]; (For US Only).
HIRAI, Takahiro [JP/JP]; (For US Only).
KUBO, Kohichi [JP/JP]; (For US Only).
HIRAOKA, Toshiro [JP/JP]; (For US Only).
YAMAGUCHI, Takeshi [JP/JP]; (For US Only)
Inventors: NAKAI, Tsukasa; .
KAMATA, Chikayoshi; .
TSUKAMOTO, Takayuki; .
AOKI, Shinya; .
HIRAI, Takahiro; .
KUBO, Kohichi; .
HIRAOKA, Toshiro; .
Agent: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo, 1050001 (JP)
Priority Data:
(JA) 情報記録再生装置
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a nonvolatile information recording/reproducing device which can realize high-recording density and low-power consumption. The information recording/reproducing device comprises a recording layer on which two or more different electric resistance states are recorded, and an electroconductive oxide layer, disposed at one end of the recording layer, which, when voltage or current is applied to the recording layer to change the state of the recording layer, is on the anode side. The electric resistance of the electroconductive oxide layer is smaller than the minimum value of the electric resistance of the recording layer. The electroconductive oxide layer is formed of a mixture of (i) a first material as a main component, selected from the group consisting of ZnO, SnO2, CoO, TiOs (wherein 1 ≤ s ≤ 2), In2O3, IrO2, and RuO2, and (ii) a second material as a dopant selected from the group consisting of Ga2O3, Al2O3, Nb2O5, SnO2, Ta2O5, Sb2O3, ZnO, and TiOs (wherein 1 ≤ s ≤ 2).
(FR)La présente invention concerne un dispositif d'enregistrement et de lecture d'informations non volatiles, apte à réaliser un enregistrement de haute densité tout en économisant l'énergie. Le dispositif d'enregistrement et de lecture d'informations comprend une couche d'enregistrement sur laquelle au moins deux états, qui ont des résistances électriques différentes, sont enregistrés, et une couche d'oxyde électroconductrice disposée à une extrémité de la couche d'enregistrement et qui, lorsqu'une tension ou un courant est appliqué sur la couche d'enregistrement de façon à modifier l'état de la couche d'enregistrement, se trouve du côté de l’anode. La résistance électrique de la couche d'oxyde électroconductrice est inférieure à la valeur minimum de la résistance électrique de la couche d'enregistrement. La couche d'oxyde électroconductrice est constituée d'un mélange de (i) une première matière servant de composant principal et sélectionnée dans le groupe comprenant les éléments suivants : ZnO, SnO2, CoO, TiOs (avec 1 ≤ s ≤ 2), In2O3, IrO2, et RuO2 ; et (ii) une seconde matière servant d’agent dopant et sélectionnée dans le groupe comprenant les éléments suivants : Ga2O3, Al2O3, Nb2O5, SnO2, Ta2O5, Sb2O3, ZnO, et TiOs (avec 1 ≤ s ≤ 2).
(JA) 高記録密度及び低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置を提供する。  本発明の情報記録再生装置は、異なる電気抵抗率の2以上の状態が記録される記録層と、記録層に電圧又は電流を与えて記録層の状態を変化させるときに陽極側となる記録層の一端に配置される導電性酸化物層とを備える。導電性酸化物層の電気抵抗率は、記録層の電気抵抗率の最小値よりも小さい。導電性酸化物層は、(i) ZnO、SnO2、CoO、TiOs(1≦s≦2)、In2O3、IrO2、RuO2のグループから選択される主成分としての第1材料と、(ii) Ga2O3、Al2O3、Nb2O5、SnO2、Ta2O5、Sb2O3、ZnO、TiOs(1≦s≦2)のグループから選択されるドーパントとしての第2材料との混合体から構成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)