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1. (WO2009122497) FERROELECTRIC MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND FERROELECTRIC CAPACITOR MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/122497    International Application No.:    PCT/JP2008/056335
Publication Date: 08.10.2009 International Filing Date: 31.03.2008
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: Fujitsu Semiconductor Limited [JP/JP]; 2-10-23 Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP) (For All Designated States Except US).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAGAI, Kouichi; (JP)
Agent: OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg, 4F, 11-7 Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
Priority Data:
Title (EN) FERROELECTRIC MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND FERROELECTRIC CAPACITOR MANUFACTURING METHOD
(FR) MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR FERROÉLECTRIQUE
(JA) 強誘電体メモリとその製造方法、及び強誘電体キャパシタの製造方法
Abstract: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a ferroelectric memory and its manufacturing method, and a ferroelectric capacitor manufacturing method, by which variations in ferroelectric characteristic within the substrate surface can be reduced. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A ferroelectric memory comprising a silicon substrate (30), transistors (TR1) formed on the silicon substrate (30), and ferroelectric capacitors (Q) formed above the transistors (TR1) is characterized in that the ferroelectric capacitor (Q) includes a lower electrode (47a), a ferroelectric film (48) formed on the lower electrode (47a), an upper electrode (49a) formed on the ferroelectric film (48), and a metal film (70) formed on the upper electrode (49a).
(FR)Cette invention se rapporte à une mémoire ferroélectrique et à son procédé de fabrication, ainsi qu'à un procédé de fabrication d'un condensateur ferroélectrique, ces derniers permettant de réduire les variations des caractéristiques ferroélectriques à l'intérieur de la surface d'un substrat. Une mémoire ferroélectrique qui comprend un substrat de silicium (30), des transistors (TR1) formés sur le substrat de silicium (30), et des condensateurs ferroélectriques (Q) formés sur les transistors (TR1), est caractérisée en ce que le condensateur ferroélectrique (Q) comprend une électrode inférieure (47a), un film ferroélectrique (48) formé sur l'électrode inférieure (47a), une électrode supérieure (49a) formée sur le film ferroélectrique (48), et un film métallique (70) formé sur l'électrode supérieure (49a).
(JA)【課題】基板面内での強誘電体特性のばらつきを抑えることが可能な強誘電体メモリとその製造方法、及び強誘電体キャパシタの製造方法を提供すること。 【解決手段】シリコン基板30と、シリコン基板30に形成されたトランジスタTR1と、トランジスタTR1の上方に形成された強誘電体キャパシタQとを有する強誘電体メモリにおいて、強誘電体キャパシタQは、下部電極47aと、下部電極47a上に形成された強誘電体膜48と、強誘電体膜48上に形成された上部電極49aと、上部電極49a上に形成された金属膜70とを有することを特徴とする強誘電体メモリによる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)