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1. (WO2009121344) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL HAVING TWO-STAGE DOPING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/121344    International Application No.:    PCT/DE2009/000431
Publication Date: 08.10.2009 International Filing Date: 03.04.2009
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG [DE/DE]; Johannes-Schmid-Strasse 8 89143 Blaubeuren (DE) (For All Designated States Except US).
ROSTAN, Philipp, Johannes [DE/DE]; (DE) (For US Only).
NUSSBAUMER, Hartmut [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ROSTAN, Philipp, Johannes; (DE).
NUSSBAUMER, Hartmut; (DE)
Agent: GEIGER, Patric; Heyerhoff & Geiger Heiligenbreite 52 88662 Überlingen (DE)
Priority Data:
10 2008 017 647.8 04.04.2008 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE MIT EINER ZWEISTUFIGEN DOTIERUNG
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL HAVING TWO-STAGE DOPING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE À DOPAGE BIÉTAGÉ
Abstract: front page image
(DE)Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer zweistufigen Dotierung (20a, 20b; 34a, 34b; 44a, 4'4b), bei welchem ein Dotierungsbereich (20; 28; 44) eines Solarzellensubstrats (10; 11) wenigstens abschnittsweise schwach dotiert wird (132), in dem Dotierungsbereich (20; 28; 44) an einer Oberfläche des Solarzellensubstrats (10; 11) eine Diffusionsbarriere (12; 26, 42) ausgebildet wird (102; 122), in die Diffusionsbarriere (12; 26; 42) lokale Öffnungen (16; 30; 47) eingebracht werden (104; 114; 134) und das Solarzellensubstrat (10; 11) in Bereichen der lokalen Öffnungen (16; 30; 47) stark dotiert wird (106; 136), wobei die Diffusionsbarriere (12; 26; 42) thermisch aufgewachsen oder mittels einer chemischen oder physikalischen Abscheidung aus einer Dampfphase auf die Oberfläche des Solärzellensubstrats aufgebracht wird (102; 122).
(EN)A method for producing a solar cell having two-stage doping (20a, 20b; 34a, 34b; 44a, 44b), wherein a doping region (20; 28; 44) of a solar cell substrate (10; 11) is slightly doped (132) at least in some sections, a diffusion barrier (12; 16; 42) is configured (102; 122) in the doping region (20; 28; 44) on a surface of the solar cell substrate (10; 11), local openings (16; 30; 47) are introduced (104; 114; 134) into the diffusion barrier (12; 26; 42), and the solar cell substrate (10; 11) in regions of the local openings (16; 30; 47) is heavily doped (106; 136), wherein the diffusion barrier (12; 26; 42) is thermally grown or applied (102; 122) onto the surface of the solar cell substrate by means of chemical or physical deposition from a vapor phase.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire pourvue d'un dopage biétagé (20a, 20b; 34a, 34b; 44a, 44b), selon lequel au moins des parties d'une région de dopage (20; 28; 44) d'un substrat de cellule solaire (10; 11) sont faiblement dopées (132), une barrière de diffusion (12; 26, 42) est formée (102; 122) dans la région de dopage (20; 28; 44) sur une surface du substrat de cellule solaire (10; 11), des ouvertures locales (16; 30; 47) sont pratiquées (104; 114; 134) dans la barrière de diffusion (12; 26, 42) et le substrat de cellule solaire (10; 11) est fortement dopé (106; 136) dans des régions des ouvertures locales (16; 30; 47), la barrière de diffusion (12; 26; 42) étant obtenue thermiquement ou appliquée sur la surface du substrat de cellule solaire par dépôt chimique ou physique en phase vapeur (102; 122).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)