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1. (WO2009120505) EPITAXIAL GROWTH ON LOW DEGREE OFF-AXIS SILICON CARBIDE SUBSTRATES AND SEMICONDUCTOR DEVICES MADE THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/120505    International Application No.:    PCT/US2009/036882
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 12.03.2009
IPC:
C30B 23/06 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01)
Applicants: SEMISOUTH LABORATORIES, INC. [US/US]; 201 Research Boulevard Starkville, MS 39759 (US) (For All Designated States Except US).
ZHANG, Jie [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHANG, Jie; (US)
Agent: RAIMUND, Christopher, W.; 1333 H Street, N.W., Suite 820 Washington, DC 20005 (US)
Priority Data:
12/055,725 26.03.2008 US
Title (EN) EPITAXIAL GROWTH ON LOW DEGREE OFF-AXIS SILICON CARBIDE SUBSTRATES AND SEMICONDUCTOR DEVICES MADE THEREBY
(FR) CROISSANCE ÉPITAXIALE SUR DES SUBSTRATS DE CARBURE DE SILICIUM À DÉCALAGE DE FAIBLE DEGRÉ PAR RAPPORT À L'AXE ET DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR OBTENUS PAR CETTE CROISSANCE
Abstract: front page image
(EN)A method of epitaxially growing a SiC layer on a single crystal SiC substrate is described. The method includes heating a single-crystal SiC substrate to a first temperature of at least 1400° C in a chamber, introducing a carrier gas, a silicon containing gas and carbon containing gas into the chamber; and epitaxially growing a layer of SiC on a surface of the SiC substrate. The SiC substrate is heated to the first temperature at a rate of at least 30° C/minute. The surface of the SiC substrate is inclined at an angle of from 1° to 3° with respect to a basal plane of the substrate material.
(FR)L'invention porte sur un procédé de croissance épitaxiale d'une couche de SiC sur un substrat de SiC monocristallin. Le procédé comprend le chauffage d'un substrat de SiC monocristallin à une première température d'au moins 1 400°C dans une chambre, l'introduction dans la chambre d'un gaz véhicule, d'un gaz contenant du silicium et d'un gaz contenant du carbone ; et la croissance épitaxiale d'une couche de SiC sur une surface du substrat de SiC. Le substrat de SiC est chauffé à la première température à raison d'au moins 30°C/minute. La surface du substrat de SiC est inclinée à un angle de 1° à 3° par rapport à un plan de base du matériau de substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)