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1. (WO2009120437) METHODS FOR FORMING DOPED REGIONS IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING NON-CONTACT PRINTING PROCESSES AND DOPANT-COMPRISING INKS FOR FORMING SUCH DOPED REGIONS USING NON-CONTACT PRINTING PROCESSES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/120437    International Application No.:    PCT/US2009/034950
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 24.02.2009
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; Law Department AB/2B 101 Columbia Road Morristown, New Jersey 07962 (US) (For All Designated States Except US).
LEUNG, Roger, Yu-kwan [US/US]; (US) (For US Only).
ZHOU, Di-ling [CN/US]; (US) (For US Only).
FAN, Wenya [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEUNG, Roger, Yu-kwan; (US).
ZHOU, Di-ling; (US).
FAN, Wenya; (US)
Agent: BEATUS, Carrie; Honeywell International Inc., Law Department AB/2B, 101 Columbia Road, Morristown, New Jersey 07962 (US)
Priority Data:
12/053,820 24.03.2008 US
12/274,006 19.11.2008 US
Title (EN) METHODS FOR FORMING DOPED REGIONS IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING NON-CONTACT PRINTING PROCESSES AND DOPANT-COMPRISING INKS FOR FORMING SUCH DOPED REGIONS USING NON-CONTACT PRINTING PROCESSES
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE RÉGIONS DOPÉES DANS DES SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS METTANT EN ŒUVRE DES PROCÉDÉS D'IMPRESSION SANS CONTACT ET ENCRES COMPORTANT UN DOPANT POUR FORMER DE TELLES RÉGIONS DOPÉES METTANT EN ŒUVRE DES PROCÉDÉS D'IMPRESSION SANS CONTACT
Abstract: front page image
(EN)Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes are provided. In an exemplary embodiment, a method for forming doped regions in a semiconductor substrate is provided. The method comprises providing an ink comprising a conductivity-determining type dopant, applying the ink to the semiconductor substrate using a non-contact printing process, and subjecting the semiconductor substrate to a thermal treatment such that the conductivity-determining type dopant diffuses into the semiconductor substrate.
(FR)La présente invention concerne des procédés de formation de régions dopées dans des substrats semi-conducteurs mettant en œuvre des procédés d'impression sans contact et des encres comportant un dopant pour former de telles régions dopées mettant en œuvre des procédés d'impression sans contact. Selon un mode de réalisation représentatif, l'invention concerne un procédé de formation de régions dopées dans un substrat semi-conducteur. Le procédé comprend la mise à disposition d'une encre comportant un dopant de type à détermination de conductivité, l'application de l'encre au substrat semi-conducteur au moyen d'un procédé d'impression sans contact, et le traitement thermique du substrat semi-conducteur de sorte que le dopant à détermination de conductivité soit diffusé dans le substrat semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)