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1. (WO2009120353) SEMICONDUCTOR BURIED GRATING FABRICATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2009/120353 International Application No.: PCT/US2009/001889
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 27.03.2009
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: LI, Yabo[US/US]; US (UsOnly)
SONG, Kechang[CA/US]; US (UsOnly)
VISOVSKY, Nicholas, J.[US/US]; US (UsOnly)
ZAH, Chung-en[US/US]; US (UsOnly)
CORNING INCORPORATED[US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, NY 14831, US (AllExceptUS)
Inventors: LI, Yabo; US
SONG, Kechang; US
VISOVSKY, Nicholas, J.; US
ZAH, Chung-en; US
Agent: ADUSEI-POKU, Kwadjo; US
Priority Data:
12/079,52427.03.2008US
Title (EN) SEMICONDUCTOR BURIED GRATING FABRICATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE GRILLE ENTERRÉE DANS DES SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN) Methods for forming grating profiles in semiconductor laser structures comprise the steps of providing a semiconductor wafer comprising a wafer substrate, an etch stop layer disposed over the wafer substrate, a grating layer disposed over the etch stop layer, an etch mask layer disposed over the grating layer, and a photoresist layer disposed over the etch mask layer, forming a photoresist grating pattern, transferring the photoresist grating pattern into the grating layers via dry etching, and removing the photoresist layer, selectively wet etching the grating layer to form the grating profile in the grating layer. The placement of the grating layer between the etch mask and etch stop layers controls the selective wet etching step. The method also comprises removing the etch mask layer via selective wet etching without altering the grating profile, and regrowing an upper cladding layer to produce the semiconductor laser structure.
(FR) L'invention concerne des procédés de formation de profils de grille dans des structures de lasers à semi-conducteur, qui comprennent les étapes qui consistent à prévoir une galette de semi-conducteur qui comprend un substrat de galette, une couche d'arrêt de gravure disposée au-dessus du substrat de galette, une couche de grille disposée au-dessus de la couche d'arrêt de gravure, une couche de masque de gravure disposée au-dessus de la couche de grille et une couche de photomasque disposée au-dessus de la couche de masque de gravure, à former un motif de grille en photomasque, à transférer le motif de grille en photomasque sur les couches de grille par gravure à sec et à retirer la couche de photomasque et à graver sélectivement en conditions humides la couche de grille pour former le profil de grille dans la couche de grille. Le placement de la couche de grille entre le masque de gravure et les couches d'arrêt de gravure permet de contrôler l'étape de gravure sélective en conditions humides. Le procédé comprend également l'enlèvement de la couche de masque de gravure par gravure sélective en conditions humides sans altérer le profil de grille et à faire recroître une couche supérieure de placage pour produire la structure de laser à semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)